트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MJH11019 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 200V 15A TO218 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음2,556
MJH11019G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 200V 15A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,460
MJH11020 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 200V 15A TO218 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음7,200
MJH11020G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 200V 15A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음7,080
MJH11021 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 250V 15A TO218 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음3,978
MJH11021G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 250V 15A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음46,110
MJH11022 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 250V 15A TO218 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음3,906
MJH11022G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 250V 15A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,064
MJH6284 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 20A TO218 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V 전력-최대: 160W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음2,106
MJH6284G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 20A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V 전력-최대: 160W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음36,150
MJH6287 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 20A TO218 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V 전력-최대: 160W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음3,996
MJH6287G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 20A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V 전력-최대: 160W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음1,484
MJL0281A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 260V 15A TO-264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V 전력-최대: 180W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음2,520
MJL0281AG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 260V 15A TO-264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V 전력-최대: 180W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음6,012
MJL0302A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 260V 15A TO-264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V 전력-최대: 180W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음4,950
MJL0302AG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 260V 15A TO-264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V 전력-최대: 180W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음3,258
MJL1302A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 260V 15A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음5,922
MJL1302AG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 260V 15A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음20,364
MJL21193 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 16A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음7,398
MJL21193G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 16A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음13,290
MJL21194 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 16A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음2,970
MJL21194G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 16A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음18,558
MJL21195 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 16A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음7,326
MJL21195G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 16A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음6,660
MJL21196 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 16A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음2,682
MJL21196G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 16A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음6,732
MJL3281A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 260V 15A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음3,690
MJL3281AG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 260V 15A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음46,074
MJL4281A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 15A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V 전력-최대: 230W 주파수-전환: 35MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음4,284
MJL4281AG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 15A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V 전력-최대: 230W 주파수-전환: 35MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음7,992

MJH11019

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 200V 15A TO218

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음2,556

MJH11019G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 200V 15A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,460

MJH11020

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 200V 15A TO218

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음7,200

MJH11020G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 200V 15A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음7,080

MJH11021

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 250V 15A TO218

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음3,978

MJH11021G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 250V 15A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음46,110

MJH11022

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 250V 15A TO218

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음3,906

MJH11022G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 250V 15A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,064

MJH6284

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 20A TO218

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
전력-최대: 160W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음2,106

MJH6284G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 20A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
전력-최대: 160W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음36,150

MJH6287

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 20A TO218

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
전력-최대: 160W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음3,996

MJH6287G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 20A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
전력-최대: 160W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음1,484

MJL0281A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 260V 15A TO-264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
전력-최대: 180W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음2,520

MJL0281AG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 260V 15A TO-264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
전력-최대: 180W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음6,012

MJL0302A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 260V 15A TO-264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
전력-최대: 180W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음4,950

MJL0302AG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 260V 15A TO-264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
전력-최대: 180W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음3,258

MJL1302A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 260V 15A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음5,922

MJL1302AG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 260V 15A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음20,364

MJL21193

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 16A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음7,398

MJL21193G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 16A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음13,290

MJL21194

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 16A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음2,970

MJL21194G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 16A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음18,558

MJL21195

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 16A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음7,326

MJL21195G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 16A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음6,660

MJL21196

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 16A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음2,682

MJL21196G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 16A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음6,732

MJL3281A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 260V 15A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음3,690

MJL3281AG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 260V 15A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 260V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음46,074

MJL4281A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 15A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
전력-최대: 230W
주파수-전환: 35MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음4,284

MJL4281AG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 15A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
전력-최대: 230W
주파수-전환: 35MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

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