트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MJF127 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음2,052
MJF127G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음13,560
MJF15030 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 8A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음8,586
MJF15030G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 8A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음4,446
MJF15031 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 8A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음2,610
MJF15031G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 8A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음9,216
MJF18004 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 450V 5A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V 전력-최대: 35W 주파수-전환: 13MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음3,402
MJF18004G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 450V 5A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V 전력-최대: 35W 주파수-전환: 13MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음24,726
MJF18008 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 450V 8A TO220-3FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V 전력-최대: 45W 주파수-전환: 13MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음5,022
MJF18008G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 450V 8A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V 전력-최대: 45W 주파수-전환: 13MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음5,346
MJF2955 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 90V 10A TO-220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음5,130
MJF2955G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 90V 10A TO-220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음7,500
MJF3055 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 90V 10A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음3,906
MJF3055G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 90V 10A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음9,576
MJF31C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A TO-220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음5,112
MJF31CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A TO-220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음21,804
MJF32C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A TO-220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음4,446
MJF32CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A TO-220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음6,588
MJF44H11 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음7,722
MJF44H11G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음24,930
MJF45H11 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 10A TO-220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음4,500
MJF45H11G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 10A TO-220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음13,842
MJF47 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 1A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음6,624
MJF47G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 1A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음7,542
MJF6388 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음2,250
MJF6388G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음43,530
MJF6668 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음2,196
MJF6668G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음7,488
MJH11017 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 150V 15A TO218 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음5,184
MJH11017G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 150V 15A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음6,240

MJF127

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음2,052

MJF127G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음13,560

MJF15030

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 8A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음8,586

MJF15030G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 8A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음4,446

MJF15031

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 8A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음2,610

MJF15031G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 8A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음9,216

MJF18004

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 5A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
전력-최대: 35W
주파수-전환: 13MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음3,402

MJF18004G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 5A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
전력-최대: 35W
주파수-전환: 13MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음24,726

MJF18008

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 8A TO220-3FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
전력-최대: 45W
주파수-전환: 13MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음5,022

MJF18008G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 8A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
전력-최대: 45W
주파수-전환: 13MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음5,346

MJF2955

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 90V 10A TO-220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음5,130

MJF2955G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 90V 10A TO-220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음7,500

MJF3055

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 90V 10A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음3,906

MJF3055G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 90V 10A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음9,576

MJF31C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A TO-220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음5,112

MJF31CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A TO-220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음21,804

MJF32C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A TO-220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음4,446

MJF32CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A TO-220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음6,588

MJF44H11

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음7,722

MJF44H11G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음24,930

MJF45H11

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 10A TO-220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음4,500

MJF45H11G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 10A TO-220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음13,842

MJF47

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 1A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음6,624

MJF47G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 1A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음7,542

MJF6388

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음2,250

MJF6388G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음43,530

MJF6668

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음2,196

MJF6668G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음7,488

MJH11017

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 150V 15A TO218

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음5,184

MJH11017G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 150V 15A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음6,240

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