트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ALD114904APAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,076
ALD114904ASAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,434
ALD114904PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,434
ALD114904SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,540
ALD114913PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,952
ALD114913SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,288
ALD114935PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,088
ALD114935SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,804
ALD210800APCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음5,490
ALD210800ASCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,892
ALD210800PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음8,838
ALD210800SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,436
ALD210802PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음3,636
ALD210802SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,514
ALD210804PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음5,076
ALD210804SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,516
ALD210808APCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음7,164
ALD210808ASCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,362
ALD210808PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음8,514
ALD210808SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,402
ALD210814PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음6,102
ALD210814SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,664
ALD212900APAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,490
ALD212900ASAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,456
ALD212900PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,688
ALD212900SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,336
ALD212902PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음3,798
ALD212902SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,524
ALD212904PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음3,222
ALD212904SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,474

ALD114904APAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음5,076

ALD114904ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,434

ALD114904PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음7,434

ALD114904SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,540

ALD114913PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음2,952

ALD114913SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,288

ALD114935PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음2,088

ALD114935SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,804

ALD210800APCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음5,490

ALD210800ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음8,892

ALD210800PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음8,838

ALD210800SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음5,436

ALD210802PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음3,636

ALD210802SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음8,514

ALD210804PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음5,076

ALD210804SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음6,516

ALD210808APCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음7,164

ALD210808ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음7,362

ALD210808PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음8,514

ALD210808SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음3,402

ALD210814PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음6,102

ALD210814SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음2,664

ALD212900APAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음5,490

ALD212900ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,456

ALD212900PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음5,688

ALD212900SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,336

ALD212902PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음3,798

ALD212902SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,524

ALD212904PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음3,222

ALD212904SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,474

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