트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ALD1103SBL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40mA, 16mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음6,180
ALD1105PBL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음16,584
ALD1105SBL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음7,572
ALD1106PBL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음12,912
ALD1106SBL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음6,570
ALD1107PBL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음17,244
ALD1107SBL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음19,368
ALD110800APCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음8,460
ALD110800ASCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,076
ALD110800PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음5,346
ALD110800SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,452
ALD110802PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.2V Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음5,004
ALD110802SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.2V Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,076
ALD110804PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음6,282
ALD110804SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,048
ALD110808APCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음6,714
ALD110808ASCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,130
ALD110808PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 820mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음3,490
ALD110808SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 820mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,934
ALD110814PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음5,832
ALD110814SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,192
ALD1108EPCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 5V 전력-최대: 600mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음7,758
ALD1108ESCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 5V 전력-최대: 600mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,830
ALD110900APAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,604
ALD110900ASAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,354
ALD110900PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,156
ALD110900SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,604
ALD110902PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.2V Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,272
ALD110902SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.2V Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,830
ALD110904PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,580

ALD1103SBL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40mA, 16mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음6,180

ALD1105PBL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 14-PDIP

재고 있음16,584

ALD1105SBL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음7,572

ALD1106PBL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 14-PDIP

재고 있음12,912

ALD1106SBL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음6,570

ALD1107PBL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 14-PDIP

재고 있음17,244

ALD1107SBL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음19,368

ALD110800APCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음8,460

ALD110800ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음5,076

ALD110800PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음5,346

ALD110800SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음7,452

ALD110802PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.2V
Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음5,004

ALD110802SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.2V
Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음5,076

ALD110804PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음6,282

ALD110804SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음6,048

ALD110808APCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음6,714

ALD110808ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음5,130

ALD110808PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 820mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음3,490

ALD110808SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 820mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음2,934

ALD110814PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음5,832

ALD110814SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음6,192

ALD1108EPCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 5V
전력-최대: 600mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음7,758

ALD1108ESCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 5V
전력-최대: 600mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음7,830

ALD110900APAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음8,604

ALD110900ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,354

ALD110900PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음6,156

ALD110900SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,604

ALD110902PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.2V
Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음7,272

ALD110902SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.2V
Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,830

ALD110904PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음5,580

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