트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTM100H46FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,204
APTM100H80FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3876pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음8,568
APTM100TA35FPG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음5,490
APTM100TA35SCTPG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음6,426
APTM100TDU35PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음6,210
APTM100VDA35T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,712
APTM10AM02FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,032
APTM10AM05FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,600
APTM10DDAM09T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,070
APTM10DDAM19T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,428
APTM10DHM05G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,462
APTM10DHM09T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,380
APTM10DHM09TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,316
APTM10DSKM09T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,070
APTM10DSKM19T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,246
APTM10DUM02G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,898
APTM10DUM05TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,546
APTM10HM05FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,740
APTM10HM09FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,588
APTM10HM09FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,948
APTM10HM19FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,932
APTM10TAM09FPG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음7,416
APTM10TAM19FPG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음8,352
APTM10TDUM09PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음3,726
APTM10TDUM19PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음6,804
APTM120A15FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 748nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20600pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,328
APTM120A20DG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 600nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,580
APTM120A20SG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 600nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,292
APTM120A29FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,166
APTM120A65FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7736pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음4,194

APTM100H46FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,204

APTM100H80FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3876pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음8,568

APTM100TA35FPG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음5,490

APTM100TA35SCTPG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음6,426

APTM100TDU35PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음6,210

APTM100VDA35T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,712

APTM10AM02FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,032

APTM10AM05FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,600

APTM10DDAM09T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,070

APTM10DDAM19T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,428

APTM10DHM05G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,462

APTM10DHM09T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,380

APTM10DHM09TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,316

APTM10DSKM09T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,070

APTM10DSKM19T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,246

APTM10DUM02G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,898

APTM10DUM05TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,546

APTM10HM05FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,740

APTM10HM09FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,588

APTM10HM09FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,948

APTM10HM19FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,932

APTM10TAM09FPG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음7,416

APTM10TAM19FPG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음8,352

APTM10TDUM09PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음3,726

APTM10TDUM19PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음6,804

APTM120A15FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 748nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20600pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,328

APTM120A20DG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 600nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,580

APTM120A20SG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 600nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,292

APTM120A29FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,166

APTM120A65FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7736pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음4,194

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