트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTM20HM10FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,598
APTM20HM16FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,236
APTM20HM20FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6850pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,524
APTM20HM20STG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6850pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,730
APTM20TAM16FPG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음2,934
APTM20TDUM16PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음6,210
APTM50A15FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5448pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,678
APTM50AM17FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,446
APTM50AM19FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V 전력-최대: 1136W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,362
APTM50AM19STG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,084
APTM50AM24SCG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 434nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19600pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,716
APTM50AM24SG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 434nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19600pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,200
APTM50AM25FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 149A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 29600pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,214
APTM50AM35FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V 전력-최대: 781W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,876
APTM50AM38FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,400
APTM50AM38SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,598
APTM50AM38STG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,948
APTM50AM70FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 340nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,966
APTM50DDA10T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4367pF @ 25V 전력-최대: 312W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,562
APTM50DDAM65T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,158
APTM50DHM35G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V 전력-최대: 781W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,124
APTM50DHM38G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,230
APTM50DHM65T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 340nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,676
APTM50DHM65TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,580
APTM50DHM75TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,982
APTM50DSK10T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4367pF @ 25V 전력-최대: 312W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,380
APTM50DSKM65T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,088
APTM50DUM17G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,604
APTM50DUM19G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V 전력-최대: 1136W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,064
APTM50DUM25TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 149A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 29600pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,532

APTM20HM10FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,598

APTM20HM16FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,236

APTM20HM20FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6850pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,524

APTM20HM20STG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6850pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,730

APTM20TAM16FPG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음2,934

APTM20TDUM16PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음6,210

APTM50A15FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5448pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,678

APTM50AM17FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,446

APTM50AM19FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V
전력-최대: 1136W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,362

APTM50AM19STG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,084

APTM50AM24SCG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 434nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19600pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,716

APTM50AM24SG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 434nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19600pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,200

APTM50AM25FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 149A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 29600pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,214

APTM50AM35FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
전력-최대: 781W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,876

APTM50AM38FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,400

APTM50AM38SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,598

APTM50AM38STG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,948

APTM50AM70FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 340nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,966

APTM50DDA10T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4367pF @ 25V
전력-최대: 312W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,562

APTM50DDAM65T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,158

APTM50DHM35G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
전력-최대: 781W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,124

APTM50DHM38G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,230

APTM50DHM65T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 340nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,676

APTM50DHM65TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,580

APTM50DHM75TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,982

APTM50DSK10T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4367pF @ 25V
전력-최대: 312W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,380

APTM50DSKM65T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,088

APTM50DUM17G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,604

APTM50DUM19G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V
전력-최대: 1136W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,064

APTM50DUM25TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 149A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 29600pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,532

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