트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTM120A80FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6696pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,898
APTM120DDA57T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,680
APTM120DSK57T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,906
APTM120DU15G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 748nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20600pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,984
APTM120DU29TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,032
APTM120H140FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.68Ohm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3812pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,942
APTM120H29FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,006
APTM120H57FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,766
APTM120H57FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,118
APTM120TA57FPG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음3,240
APTM120TDU57PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음2,124
APTM120VDA57T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,340
APTM20AM04FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,966
APTM20AM05FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V 전력-최대: 1136W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,788
APTM20AM05FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 333A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1184nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40800pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,250
APTM20AM06SG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 325nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18500pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,110
APTM20AM08FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V 전력-최대: 781W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,460
APTM20AM10FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,024
APTM20AM10STG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,078
APTM20DHM08G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V 전력-최대: 781W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,328
APTM20DHM10G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,794
APTM20DHM16T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,714
APTM20DHM16TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,826
APTM20DHM20TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6850pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,860
APTM20DUM04G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,088
APTM20DUM05G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V 전력-최대: 1136W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,466
APTM20DUM05TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 333A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1184nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40800pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,138
APTM20DUM08TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V 전력-최대: 781W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,688
APTM20DUM10TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,914
APTM20HM08FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V 전력-최대: 781W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,938

APTM120A80FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6696pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,898

APTM120DDA57T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,680

APTM120DSK57T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,906

APTM120DU15G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 748nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20600pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,984

APTM120DU29TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,032

APTM120H140FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.68Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3812pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,942

APTM120H29FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,006

APTM120H57FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,766

APTM120H57FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,118

APTM120TA57FPG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음3,240

APTM120TDU57PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음2,124

APTM120VDA57T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5155pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,340

APTM20AM04FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,966

APTM20AM05FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V
전력-최대: 1136W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,788

APTM20AM05FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 333A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1184nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40800pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,250

APTM20AM06SG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 325nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18500pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,110

APTM20AM08FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
전력-최대: 781W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,460

APTM20AM10FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,024

APTM20AM10STG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,078

APTM20DHM08G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
전력-최대: 781W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,328

APTM20DHM10G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,794

APTM20DHM16T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,714

APTM20DHM16TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,826

APTM20DHM20TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6850pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,860

APTM20DUM04G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,088

APTM20DUM05G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V
전력-최대: 1136W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,466

APTM20DUM05TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 333A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1184nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40800pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,138

APTM20DUM08TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
전력-최대: 781W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,688

APTM20DUM10TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,914

APTM20HM08FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
전력-최대: 781W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,938

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message