트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDS6984AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 8.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,210
FDS6984S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 8.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1233pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,318
FDS6986AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 7.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,320
FDS6986AS_SN00192 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 7.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V, 8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V, 550pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,400
FDS6990A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1235pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음47,868
FDS6990AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음49,314
FDS6993 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V/12V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 6.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,092
FDS6994S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, 8.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,922
FDS8333C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,604
FDS8858CZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A, 7.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1205pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음121,014
FDS89141 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 398pF @ 50V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음43,920
FDS89161 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 50V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음499
FDS89161LZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 302pF @ 50V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음79,074
FDS8926A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,214
FDS8928A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음60,318
FDS8934A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,766
FDS8935 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 879pF @ 40V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,944
FDS8947A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,078
FDS8949 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음116,604
FDS8949-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,066
FDS8958 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 789pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음600
FDS8958A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 575pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,778
FDS8958A-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 575pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음97,668
FDS8958B ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음165,762
FDS8958B_G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V, 760pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,042
FDS8960C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,820
FDS8962C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 575pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,010
FDS8978 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1270pF @ 15V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음95,130
FDS8984 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 15V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음100,002
FDS8984-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 15V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,968

FDS6984AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 8.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,210

FDS6984S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 8.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1233pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,318

FDS6986AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 7.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,320

FDS6986AS_SN00192

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 7.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V, 8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V, 550pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,400

FDS6990A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1235pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음47,868

FDS6990AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음49,314

FDS6993

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V/12V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 6.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,092

FDS6994S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, 8.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,922

FDS8333C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,604

FDS8858CZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A, 7.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1205pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음121,014

FDS89141

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 398pF @ 50V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음43,920

FDS89161

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 50V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음499

FDS89161LZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 302pF @ 50V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음79,074

FDS8926A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,214

FDS8928A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음60,318

FDS8934A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,766

FDS8935

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 879pF @ 40V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,944

FDS8947A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,078

FDS8949

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음116,604

FDS8949-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,066

FDS8958

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 789pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음600

FDS8958A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 575pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,778

FDS8958A-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 575pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음97,668

FDS8958B

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음165,762

FDS8958B_G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V, 760pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,042

FDS8960C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,820

FDS8962C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 575pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,010

FDS8978

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1270pF @ 15V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음95,130

FDS8984

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 15V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음100,002

FDS8984-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 15V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,968

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