트랜지스터

IRF7304TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7304TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7306PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7306QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7306TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7306TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7307PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 4.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7307QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 4.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7307TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 4.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7309PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7309QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7309TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7311PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7311TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7311TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7313PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7313QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7313TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7314PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7314QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 913pF @ 15V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7314TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7316GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7316PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7316QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7316TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7317PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 5.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7317TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 5.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7319PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7319TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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