트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRF7530PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음4,734
IRF7530TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음5,652
IRF7530TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음158,448
IRF7555TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1066pF @ 10V 전력-최대: 1.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음7,092
IRF7555TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1066pF @ 10V 전력-최대: 1.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음5,994
IRF7750 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음3,366
IRF7750GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,138
IRF7750TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음3,096
IRF7750TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,984
IRF7751 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1464pF @ 25V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,436
IRF7751GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1464pF @ 25V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음4,230
IRF7751TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1464pF @ 25V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,706
IRF7751TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1464pF @ 25V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,964
IRF7752 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 861pF @ 25V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,946
IRF7752GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 861pF @ 25V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음7,416
IRF7752TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 861pF @ 25V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,544
IRF7752TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 861pF @ 25V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,328
IRF7754 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음109
IRF7754GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,460
IRF7754TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,892
IRF7754TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음4
IRF7755 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1090pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음2,574
IRF7755GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1090pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,118
IRF7755TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1090pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음3,400
IRF7755TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1090pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음4,608
IRF7756 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,318
IRF7756GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,604
IRF7756TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,904
IRF7756TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음7,776
IRF7757TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 15V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,156

IRF7530PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음4,734

IRF7530TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음5,652

IRF7530TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음158,448

IRF7555TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1066pF @ 10V
전력-최대: 1.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음7,092

IRF7555TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1066pF @ 10V
전력-최대: 1.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음5,994

IRF7750

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음3,366

IRF7750GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음6,138

IRF7750TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음3,096

IRF7750TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음6,984

IRF7751

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1464pF @ 25V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,436

IRF7751GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1464pF @ 25V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음4,230

IRF7751TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1464pF @ 25V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,706

IRF7751TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1464pF @ 25V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,964

IRF7752

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 861pF @ 25V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,946

IRF7752GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 861pF @ 25V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음7,416

IRF7752TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 861pF @ 25V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,544

IRF7752TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 861pF @ 25V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,328

IRF7754

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음109

IRF7754GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,460

IRF7754TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,892

IRF7754TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음4

IRF7755

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1090pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음2,574

IRF7755GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1090pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,118

IRF7755TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1090pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음3,400

IRF7755TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1090pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음4,608

IRF7756

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음6,318

IRF7756GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,604

IRF7756TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,904

IRF7756TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음7,776

IRF7757TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 15V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음6,156

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