트랜지스터

IRF9362TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9389PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, 4.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 398pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9389TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, 4.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 398pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9395MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3241pF @ 15V
• 전력-최대: 2.1W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MC
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MC

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IRF9395MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3241pF @ 15V
• 전력-최대: 2.1W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MC
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MC

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IRF9910

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 12A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9910PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 12A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9910TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 12A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9910TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 12A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9952

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9952PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9952QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9952TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9953

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9953PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9953TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9953TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9956

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9956PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9956TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF9956TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRFH4251DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: FASTIRFET™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A, 188A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1314pF @ 13V
• 전력-최대: 31W, 63W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)

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IRFH4253DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A, 145A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1314pF @ 13V
• 전력-최대: 31W, 50W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)

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IRFH4255DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A, 105A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1314pF @ 13V
• 전력-최대: 31W, 38W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)

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IRFH4257DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1321pF @ 13V
• 전력-최대: 25W, 28W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: Dual PQFN (5x4)

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IRFH7911TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 28A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 15V
• 전력-최대: 2.4W, 3.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 18-PowerVQFN
• 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)

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IRFH7911TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 28A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 15V
• 전력-최대: 2.4W, 3.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 18-PowerVQFN
• 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)

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IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: FASTIRFET™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A, 303A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1735pF @ 13V
• 전력-최대: 156W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 32-PowerWFQFN
• 공급자 장치 패키지: 32-PQFN (6x6)

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IRFHM792TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 251pF @ 25V
• 전력-최대: 2.3W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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