트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MCMP06-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET P+SKY DFN2020-6U 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: P-Channel FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 15V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6U	재고 있음5,778
MCQ4503-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 N&P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAG 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 25V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,128
MCQ4559-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 N&P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAG 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 665pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,616
MCQ4828A-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETSOP- 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V 전력-최대: 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음283,710
MCQ7328-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 P-CHANNELMOSFETSOP-8 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.675nF @ 25V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음260,454
MKE38P600TLB IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음6,120
MKE38P600TLB-TRR IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음6,282
MMDF1N05ER2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,052
MMDF1N05ER2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,406
MMDF2C03HDR2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 24V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,472
MMDF2C03HDR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 24V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,590
MMDF2N02ER2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 532pF @ 16V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,590
MMDF2N02ER2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 532pF @ 16V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,064
MMDF2P02ER2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 16V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,580
MMDF2P02HDR2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 588pF @ 16V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,184
MMDF2P02HDR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 588pF @ 16V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,382
MMDF3N04HDR2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 32V 전력-최대: 1.39W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,022
MMDF3N04HDR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 32V 전력-최대: 1.39W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,646
MMIX2F60N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 25V 전력-최대: 320W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD Module, 9 Leads 공급자 장치 패키지: 24-SMPD	재고 있음7,452
MP6K11TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: MPT6	재고 있음8,244
MP6K12TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: MPT6	재고 있음8,964
MP6K13TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: MPT6	재고 있음6,534
MP6K14TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: MPT6	재고 있음2,322
MP6K31TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: MPT6	재고 있음3,294
MP6K31TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: MPT6	재고 있음5,832
MP6M11TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: MPT6	재고 있음8,316
MP6M12TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: MPT6	재고 있음6,444
MP6M14TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: MPT6	재고 있음2,322
MTM684100LBF Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: WMini8-F1	재고 있음7,668
MTM684110LBF Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: WMini8-F1	재고 있음8,838

MCMP06-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET P+SKY DFN2020-6U

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 15V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6U

재고 있음5,778

MCQ4503-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

N&P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 25V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,128

MCQ4559-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

N&P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 665pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,616

MCQ4828A-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETSOP-

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V
전력-최대: 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음283,710

MCQ7328-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

P-CHANNELMOSFETSOP-8

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.675nF @ 25V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음260,454

MKE38P600TLB

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음6,120

MKE38P600TLB-TRR

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음6,282

MMDF1N05ER2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,052

MMDF1N05ER2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,406

MMDF2C03HDR2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 24V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,472

MMDF2C03HDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 24V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,590

MMDF2N02ER2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 532pF @ 16V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,590

MMDF2N02ER2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 532pF @ 16V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,064

MMDF2P02ER2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 16V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,580

MMDF2P02HDR2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 588pF @ 16V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,184

MMDF2P02HDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 588pF @ 16V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,382

MMDF3N04HDR2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 32V
전력-최대: 1.39W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,022

MMDF3N04HDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 32V
전력-최대: 1.39W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,646

MMIX2F60N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 25V
전력-최대: 320W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD Module, 9 Leads
공급자 장치 패키지: 24-SMPD

재고 있음7,452

MP6K11TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: MPT6

재고 있음8,244

MP6K12TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: MPT6

재고 있음8,964

MP6K13TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: MPT6

재고 있음6,534

MP6K14TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: MPT6

재고 있음2,322

MP6K31TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: MPT6

재고 있음3,294

MP6K31TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: MPT6

재고 있음5,832

MP6M11TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: MPT6

재고 있음8,316

MP6M12TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: MPT6

재고 있음6,444

MP6M14TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: MPT6

재고 있음2,322

MTM684100LBF

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: WMini8-F1

재고 있음7,668

MTM684110LBF

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: WMini8-F1

재고 있음8,838

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