트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTJD4158CT2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, 880mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V 전력-최대: 270mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음3,672
NTJD4401NT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V 전력-최대: 270mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음8,550
NTJD4401NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT-363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V 전력-최대: 270mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음1,647,144
NTJD4401NT2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V 전력-최대: 270mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음6,966
NTJD4401NT4 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V 전력-최대: 270mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음3,240
NTJD4401NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V 전력-최대: 270mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음3,744
NTJD5121NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 20V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음2,306,280
NTJD5121NT2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 20V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음135,594
NTL4502NT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1605pF @ 20V 전력-최대: 1.7W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-PowerQFN 공급자 장치 패키지: PlnPAK	재고 있음8,694
NTLGD3502NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V 전력-최대: 1.74W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (3x3)	재고 있음3,508
NTLGD3502NT2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V 전력-최대: 1.74W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (3x3)	재고 있음8,640
NTLJD2104PTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 467pF @ 6V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음3,420
NTLJD2104PTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 467pF @ 6V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음2,196
NTLJD2105LTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 520mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음5,238
NTLJD3115PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 531pF @ 10V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음7,794
NTLJD3115PTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 531pF @ 10V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음5,616
NTLJD3119CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: µCool™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 271pF @ 10V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음8,604
NTLJD3119CTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: µCool™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 271pF @ 10V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음363,516
NTLJD3181PZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 10V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음2,736
NTLJD3181PZTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 10V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음6,408
NTLJD3183CZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 355pF @ 10V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음6,768
NTLJD3183CZTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 355pF @ 10V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음5,256
NTLJD4116NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 427pF @ 15V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음8,910
NTLJD4150PTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음5,652
NTLLD4901NFTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 6.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 605pF @ 15V 전력-최대: 800mW, 810mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3x3)	재고 있음22,182
NTLLD4951NFTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 6.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 605pF @ 15V 전력-최대: 800mW, 810mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3x3)	재고 있음7,794
NTLTD7900ZR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 16V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음7,776
NTLUD3191PZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (1.6x1.6)	재고 있음3,276
NTLUD3191PZTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (1.6x1.6)	재고 있음5,850
NTLUD3A260PZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (1.6x1.6)	재고 있음123,540

NTJD4158CT2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, 880mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V
전력-최대: 270mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음3,672

NTJD4401NT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V
전력-최대: 270mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음8,550

NTJD4401NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT-363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V
전력-최대: 270mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음1,647,144

NTJD4401NT2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V
전력-최대: 270mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음6,966

NTJD4401NT4

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V
전력-최대: 270mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음3,240

NTJD4401NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 20V
전력-최대: 270mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음3,744

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 20V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음2,306,280

NTJD5121NT2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 20V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음135,594

NTL4502NT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1605pF @ 20V
전력-최대: 1.7W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-PowerQFN
공급자 장치 패키지: PlnPAK

재고 있음8,694

NTLGD3502NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V
전력-최대: 1.74W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-DFN (3x3)

재고 있음3,508

NTLGD3502NT2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V
전력-최대: 1.74W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-DFN (3x3)

재고 있음8,640

NTLJD2104PTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 467pF @ 6V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음3,420

NTLJD2104PTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 467pF @ 6V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음2,196

NTLJD2105LTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 520mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음5,238

NTLJD3115PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 531pF @ 10V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음7,794

NTLJD3115PTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 531pF @ 10V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음5,616

NTLJD3119CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: µCool™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 271pF @ 10V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음8,604

NTLJD3119CTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: µCool™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 271pF @ 10V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음363,516

NTLJD3181PZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 10V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음2,736

NTLJD3181PZTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 10V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음6,408

NTLJD3183CZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 355pF @ 10V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음6,768

NTLJD3183CZTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 355pF @ 10V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음5,256

NTLJD4116NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 427pF @ 15V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음8,910

NTLJD4150PTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음5,652

NTLLD4901NFTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 6.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 605pF @ 15V
전력-최대: 800mW, 810mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3x3)

재고 있음22,182

NTLLD4951NFTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 6.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 605pF @ 15V
전력-최대: 800mW, 810mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3x3)

재고 있음7,794

NTLTD7900ZR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 16V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음7,776

NTLUD3191PZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-UDFN (1.6x1.6)

재고 있음3,276

NTLUD3191PZTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-UDFN (1.6x1.6)

재고 있음5,850

NTLUD3A260PZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-UDFN (1.6x1.6)

재고 있음123,540

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