트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SM6K2T110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음26,946
SMA5112 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 10V 전력-최대: 4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP	재고 있음3,402
SMA5117 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V 전력-최대: 4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP	재고 있음7,020
SMA5118 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 10V 전력-최대: 4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP	재고 있음309
SMA5125 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V 전력-최대: 4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP	재고 있음13,794
SMA5127 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550Ohm @ 2A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 10V 전력-최대: 4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP	재고 있음3,508
SMA5131 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 250V 2A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP	재고 있음6,984
SMA5132 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 500V 1.5A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP	재고 있음7,848
SMA5133 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 500V 2.5A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP	재고 있음6,696
SMMA511DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6L 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 6V 전력-최대: 6.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Dual	재고 있음8,568
SMMB911DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 10V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-75-6L Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-75-6L Dual	재고 있음2,934
SP8J1FU6TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,370
SP8J1TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,022
SP8J2FU6TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,474
SP8J2TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,744
SP8J3FU6TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,092
SP8J4TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,302
SP8J5FU6TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,510
SP8J5TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,202
SP8J65TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,562
SP8J66TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,482
SP8K1FU6TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,614
SP8K1TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,610
SP8K22FRATB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,552
SP8K22FU6TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,136
SP8K24FRATB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,294
SP8K24FU6TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,556
SP8K2FU6TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,016
SP8K2TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음650,148
SP8K31FRATB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,482

SM6K2T110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음26,946

SMA5112

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 10V
전력-최대: 4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP

재고 있음3,402

SMA5117

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V
전력-최대: 4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP

재고 있음7,020

SMA5118

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 10V
전력-최대: 4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP

재고 있음309

SMA5125

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V
전력-최대: 4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP

재고 있음13,794

SMA5127

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550Ohm @ 2A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 10V
전력-최대: 4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP

재고 있음3,508

SMA5131

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 250V 2A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP

재고 있음6,984

SMA5132

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 500V 1.5A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP

재고 있음7,848

SMA5133

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 500V 2.5A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP

재고 있음6,696

SMMA511DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6L

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 6V
전력-최대: 6.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Dual

재고 있음8,568

SMMB911DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 10V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-75-6L Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-75-6L Dual

재고 있음2,934

SP8J1FU6TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,370

SP8J1TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,022

SP8J2FU6TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,474

SP8J2TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,744

SP8J3FU6TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,092

SP8J4TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,302

SP8J5FU6TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,510

SP8J5TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,202

SP8J65TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,562

SP8J66TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,482

SP8K1FU6TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,614

SP8K1TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,610

SP8K22FRATB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,552

SP8K22FU6TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,136

SP8K24FRATB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.6nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,294

SP8K24FU6TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.6nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,556

SP8K2FU6TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,016

SP8K2TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음650,148

SP8K31FRATB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,482

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