트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 15V 전력-최대: 29W, 100W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)	재고 있음1,585
SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 15V 전력-최대: 39W, 100W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)	재고 있음4,968
SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V 전력-최대: 20.2W, 40W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)	재고 있음23,052
SIZ980DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V 전력-최대: 20W, 66W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair®	재고 있음1,400
SIZ988DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V 전력-최대: 20.2W, 40W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair®	재고 있음21,612
SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V 전력-최대: 20.2W, 32.9W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair®	재고 있음58,914
SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V 전력-최대: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)	재고 있음3,400
SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CHAN 30V 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 전력-최대: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)	재고 있음2,826
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 전력-최대: 38W (Tc), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)	재고 있음418
SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL 30V 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 40A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V 전력-최대: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)	재고 있음26,832
SIZF918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,932
SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V 전력-최대: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)	재고 있음2,700
SLA5037 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1630pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음6,408
SLA5041 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음8,568
SLA5059 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음6,912
SLA5060 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음17,796
SLA5061 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음2,354
SLA5064 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음15,174
SLA5065 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V 전력-최대: 4.8W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지: 15-ZIP	재고 있음18,336
SLA5065 LF830 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V 전력-최대: 4.8W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP 공급자 장치 패키지: 15-SIP	재고 있음4,482
SLA5068-LF830 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지: 15-ZIP	재고 있음18,420
SLA5068 LF853 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP 공급자 장치 패키지: 15-SIP	재고 있음6,408
SLA5073 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 60V 5A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지: 15-ZIP	재고 있음8,148
SLA5074 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 60V 5A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V 전력-최대: 4.8W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지: 15-ZIP	재고 있음15,228
SLA5075 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 500V 5A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지: 15-ZIP	재고 있음4,878
SLA5085 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 5 N-Channel, Common Source FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음17,952
SLA5086 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 5 P-Channel, Common Source FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음20,232
SLA5096 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 55V 8A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지: 15-ZIP	재고 있음6,102
SLA5201 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지: 15-ZIP	재고 있음1,112
SLA5212 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 35V 8A 15-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지: 15-ZIP	재고 있음6,948

SIZ918DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 15V
전력-최대: 29W, 100W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

재고 있음1,585

SIZ920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 15V
전력-최대: 39W, 100W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

재고 있음4,968

SIZ926DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
전력-최대: 20.2W, 40W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

재고 있음23,052

SIZ980DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
전력-최대: 20W, 66W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair®

재고 있음1,400

SIZ988DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
전력-최대: 20.2W, 40W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair®

재고 있음21,612

SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
전력-최대: 20.2W, 32.9W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair®

재고 있음58,914

SIZF300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
전력-최대: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

재고 있음3,400

SIZF906ADT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHAN 30V

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
전력-최대: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

재고 있음2,826

SIZF906DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
전력-최대: 38W (Tc), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

재고 있음418

SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL 30V

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
전력-최대: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

재고 있음26,832

SIZF918DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,932

SIZF920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
전력-최대: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

재고 있음2,700

SLA5037

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1630pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음6,408

SLA5041

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음8,568

SLA5059

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 2A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음6,912

SLA5060

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음17,796

SLA5061

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음2,354

SLA5064

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음15,174

SLA5065

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V
전력-최대: 4.8W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지: 15-ZIP

재고 있음18,336

SLA5065 LF830

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V
전력-최대: 4.8W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP
공급자 장치 패키지: 15-SIP

재고 있음4,482

SLA5068-LF830

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지: 15-ZIP

재고 있음18,420

SLA5068 LF853

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP
공급자 장치 패키지: 15-SIP

재고 있음6,408

SLA5073

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 60V 5A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지: 15-ZIP

재고 있음8,148

SLA5074

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 60V 5A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
전력-최대: 4.8W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지: 15-ZIP

재고 있음15,228

SLA5075

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 500V 5A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지: 15-ZIP

재고 있음4,878

SLA5085

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 5 N-Channel, Common Source
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음17,952

SLA5086

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 5 P-Channel, Common Source
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음20,232

SLA5096

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 55V 8A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지: 15-ZIP

재고 있음6,102

SLA5201

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지: 15-ZIP

재고 있음1,112

SLA5212

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 35V 8A 15-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지: 15-ZIP

재고 있음6,948

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