트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SQJ204EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V 전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	재고 있음6,858
SQJ208EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO- 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC, 75nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF, 3900pF @ 25V 전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	재고 있음2,178
SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V 전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	재고 있음3,816
SQJ260EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 54A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V 전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	재고 있음4,788
SQJ262EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 40A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V 전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	재고 있음3,636
SQJ500AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 20V 전력-최대: 48W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음24,096
SQJ500EP ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,706
SQJ500EPTR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,956
SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO- 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V 전력-최대: 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음5,436
SQJ560EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), 18A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V 전력-최대: 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음8,082
SQJ570EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 9.5A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V 전력-최대: 27W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음4,662
SQJ844AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1161pF @ 15V 전력-최대: 48W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음25,182
SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1869pF @ 15V 전력-최대: 48W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음6,462
SQJ912AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1835pF @ 20V 전력-최대: 48W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음23,886
SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 25V 전력-최대: 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음21,708
SQJ914EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 15V 전력-최대: 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음5,706
SQJ940EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 18A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 896pF @ 20V 전력-최대: 48W, 43W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	재고 있음47,622
SQJ941EP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V 전력-최대: 55W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음4,590
SQJ942EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 45A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V 전력-최대: 17W, 48W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8	재고 있음25,680
SQJ946EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 25V 전력-최대: 27W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음4,392
SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 10V 전력-최대: 56W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음6,138
SQJ952EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 30V 전력-최대: 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음254,556
SQJ956EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1395pF @ 30V 전력-최대: 34W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음8,154
SQJ958EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34.9mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1075pF @ 30V 전력-최대: 35W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음7,632
SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 8A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V 전력-최대: 34W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음2,304
SQJ962EP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 25V 전력-최대: 25W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음3,492
SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1140pF @ 30V 전력-최대: 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음260,952
SQJ968EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23.5A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 714pF @ 30V 전력-최대: 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음4,122
SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V 전력-최대: 48W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음58,386
SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 35V 전력-최대: 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음7,902

SQJ204EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

재고 있음6,858

SQJ208EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC, 75nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF, 3900pF @ 25V
전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

재고 있음2,178

SQJ244EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

재고 있음3,816

SQJ260EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 54A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

재고 있음4,788

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
전력-최대: 27W (Tc), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

재고 있음3,636

SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 20V
전력-최대: 48W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음24,096

SQJ500EP

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,706

SQJ500EPTR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,956

SQJ504EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
전력-최대: 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음5,436

SQJ560EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
전력-최대: 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음8,082

SQJ570EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
전력-최대: 27W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음4,662

SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1161pF @ 15V
전력-최대: 48W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음25,182

SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1869pF @ 15V
전력-최대: 48W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음6,462

SQJ912AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1835pF @ 20V
전력-최대: 48W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음23,886

SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 25V
전력-최대: 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음21,708

SQJ914EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 15V
전력-최대: 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음5,706

SQJ940EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 896pF @ 20V
전력-최대: 48W, 43W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

재고 있음47,622

SQJ941EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V
전력-최대: 55W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음4,590

SQJ942EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 45A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
전력-최대: 17W, 48W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8

재고 있음25,680

SQJ946EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 25V
전력-최대: 27W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음4,392

SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 10V
전력-최대: 56W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음6,138

SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 30V
전력-최대: 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음254,556

SQJ956EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1395pF @ 30V
전력-최대: 34W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음8,154

SQJ958EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34.9mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1075pF @ 30V
전력-최대: 35W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음7,632

SQJ960EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 8A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V
전력-최대: 34W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음2,304

SQJ962EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 25V
전력-최대: 25W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음3,492

SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1140pF @ 30V
전력-최대: 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음260,952

SQJ968EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23.5A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 714pF @ 30V
전력-최대: 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음4,122

SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V
전력-최대: 48W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음58,386

SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 35V
전력-최대: 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음7,902

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message