트랜지스터

SSM6L35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, 100mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 3V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)

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SSM6L35FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, 100mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 3V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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SSM6L36FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 330mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 10V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)

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SSM6L36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + P-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta), 330mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC, 1.2nC @ 4V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF, 43pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: UF6

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SSM6L39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 268pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: UF6

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SSM6L40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta), 1.4A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC, 2.9nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF, 120pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: UF6

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SSM6L61NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)

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SSM6N15AFE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.8pF @ 3V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)

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SSM6N15AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13.5pF @ 3V
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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SSM6N16FE,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.3pF @ 3V
• 전력-최대: 150mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6

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SSM6N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.3pF @ 3V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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SSM6N17FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

X34 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFE

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 3V
• 전력-최대: 200mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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SSM6N24TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N357R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 12V
• 전력-최대: 1.5W (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP-F

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N35AFE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 10V
• 전력-최대: 250mW
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N35AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 10V
• 전력-최대: 285mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 3V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N36FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 10V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: UF6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N37CTD(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
• 전력-최대: 140mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: CST6D

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N37FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N37FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: UF6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6N42FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 10V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)

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SSM6N43FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 10V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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SSM6N44FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.5pF @ 3V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)

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SSM6N44FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.5pF @ 3V
• 전력-최대: 200mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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SSM6N48FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

X34 PB-F SOT-363 S-MOS (LF) TRAN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15.1pF @ 3V
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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SSM6N48FU,RF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15.1pF @ 3V
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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