트랜지스터

SQJ990EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
• 전력-최대: 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJ992EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 446pF @ 30V
• 전력-최대: 34W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJB00EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 25V
• 전력-최대: 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJB40EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
• 전력-최대: 34W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJB42EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
• 전력-최대: 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
• 전력-최대: 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJB68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V
• 전력-최대: 27W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJB70EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 25V
• 전력-최대: 27W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJB80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
• 전력-최대: 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJB90EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
• 전력-최대: 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJQ900E-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5900pF @ 20V
• 전력-최대: 75W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 8 x 8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 8 x 8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5900pF @ 20V
• 전력-최대: 75W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 8 x 8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 8 x 8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJQ906EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3238pF @ 20V
• 전력-최대: 187W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 8 x 8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 8 x 8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJQ906E-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 20V
• 전력-최대: 50W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 8 x 8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 8 x 8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJQ910EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2832pF @ 50V
• 전력-최대: 187W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 8 x 8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 8 x 8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJQ960EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 63A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 25V
• 전력-최대: 71W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 8 x 8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 8 x 8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQJQ980EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1995pF @ 40V
• 전력-최대: 187W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 8 x 8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 8 x 8 Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQS944ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CHAN 40V

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 25V
• 전력-최대: 27.8W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8W Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8W Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQS966ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CHAN 60V

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 572pF @ 25V
• 전력-최대: 27.8W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8W Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8W Dual

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQUN702E-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), 20A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V
• 전력-최대: 48W (Tc), 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: Die
• 공급자 장치 패키지: Die

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSD2007ASTF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSD2007ATF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSD2009ATF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSD2025TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6L09FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 200mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 5V
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6L11TU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 250MA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 268pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: UF6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6L12TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: UF6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 268pF @ 10V, 250pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: UF6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6L14FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta), 720mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC, 1.76nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF, 110pF @ 10V
• 전력-최대: 150mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6L16FETE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 0.1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.3pF @ 3V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트