트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
AFT18H357-24NR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.81GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-1230-4L2L 공급자 장치 패키지: OM-1230-4L2L	재고 있음4,392
AFT18H357-24SR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.81GHz 이득: 17.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L	재고 있음6,066
AFT18HW355SR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.88GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음6,264
AFT18HW355SR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.88GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음6,480
AFT18P350-4S2LR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.81GHz 이득: 16.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L	재고 있음6
AFT18S230-12NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 17.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-780-2L2L 공급자 장치 패키지: OM-780-2L2L	재고 있음7,326
AFT18S230SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,804
AFT18S230SR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S-6 공급자 장치 패키지: NI-780S-6	재고 있음174
AFT18S260W31GSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 19.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780GS-2L2LA 공급자 장치 패키지: NI-780GS-2L2LA	재고 있음962
AFT18S260W31SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 19.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S-2L2LA 공급자 장치 패키지: NI-780S-2L2LA	재고 있음7,488
AFT18S290-13SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880XS-6 공급자 장치 패키지: NI-880XS-6	재고 있음548
AFT20P060-4GNR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.17GHz 이득: 18.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 6.3W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-780G-4L 공급자 장치 패키지: OM-780G-4L	재고 있음4,860
AFT20P060-4NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.17GHz 이득: 18.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 6.3W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM780-4 공급자 장치 패키지: OM780-4	재고 있음8,046
AFT20P140-4WGNR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.88GHz ~ 1.91GHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 24W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-780G-4L 공급자 장치 패키지: OM-780G-4L	재고 있음5,040
AFT20P140-4WNR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.88GHz ~ 1.91GHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 24W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM780-4 공급자 장치 패키지: OM780-4	재고 있음2,844
AFT20S015GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 17.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 132mA 전원-출력: 1.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음15,912
AFT20S015NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 17.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 132mA 전원-출력: 1.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음12,024
AFT21H350W03SR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 16.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음8,730
AFT21H350W04GSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.11GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 16.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230S-4 GW 공급자 장치 패키지: NI-1230S-4 GULL	재고 있음4,014
AFT21S140W02GSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780GS-2 공급자 장치 패키지: NI-780GS-2	재고 있음6,912
AFT21S140W02SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,434
AFT21S220W02GSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 19.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780GS-2 공급자 장치 패키지: NI-780GS-2	재고 있음6,246
AFT21S220W02SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 19.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,408
AFT21S230-12SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780-2L2L 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 16.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,244
AFT21S230SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 16.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S-6	재고 있음184
AFT21S230SR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 16.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S-6	재고 있음7,794
AFT21S232SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 16.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음184
AFT21S232SR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 16.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,136
AFT21S240-12SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780S-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 20.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 55W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880XS-2L-2L 공급자 장치 패키지: NI-880XS-2L-2L	재고 있음7,884
AFT23H160-25SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.3GHz 이득: 16.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880X-4L4S-8 공급자 장치 패키지: NI-880X-4L4S-8	재고 있음5,652

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