Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

트랜지스터

기록 64,903
페이지 849/2164
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
A2I08H040NR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF LDMOS AMP

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 920MHz
  • 이득: 30.7dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 25mA
  • 전원-출력: 9W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: TO-270-15 Variant, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: TO-270WB-15
재고 있음2,898
A2I20H060GNR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 1.84GHz
  • 이득: 28.9dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 24mA
  • 전원-출력: 12W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: TO-270-14 Variant, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: TO-270WBG-15
재고 있음8,226
A2I20H060NR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 1.84GHz
  • 이득: 28.9dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 24mA
  • 전원-출력: 12W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: TO-270-15 Variant, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: TO-270WB-15
재고 있음5,346
A2I25D025GNR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 2.69GHz
  • 이득: 31.9dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 59mA
  • 전원-출력: 3.2W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: TO-270-17 Variant, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: TO-270WBG-17
재고 있음2,574
A2I25D025NR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 2.69GHz
  • 이득: 31.9dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 59mA
  • 전원-출력: 3.2W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: TO-270-17 Variant, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: TO-270WB-17
재고 있음7,542
A2I25H060GNR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 2.59GHz
  • 이득: 26.1dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 26mA
  • 전원-출력: 10.5W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: TO-270-17 Variant, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: TO-270WBG-17
재고 있음2,736
A2I25H060NR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF LDMOS AMP

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 2.59GHz
  • 이득: 26.1dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 26mA
  • 전원-출력: 10.5W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: TO-270-17 Variant, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: TO-270WB-17
재고 있음3,582
A2T07D160W04SR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 70V 803MHZ

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 803MHz
  • 이득: 21.5dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 450mA
  • 전원-출력: 30W
  • 전압-정격: 70V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S-4
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S-4
재고 있음6,066
A2T07H310-24SR6

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 70V 880MHZ

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 880MHz
  • 이득: 18.6dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 700mA
  • 전원-출력: 47W
  • 전압-정격: 70V
  • 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L
  • 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L
재고 있음3,057
A2T08VD020NT1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 728MHz ~ 960MHz
  • 이득: 19.1dB
  • 전압-테스트: 48V
  • 전류 정격 (Amps): 10µA
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 40mA
  • 전원-출력: 18W
  • 전압-정격: 105V
  • 패키지 / 케이스: 24-QFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 24-PQFN-EP (8x8)
재고 있음7,794
A2T08VD021NT1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 주파수: -
  • 이득: -
  • 전압-테스트: -
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: -
  • 전원-출력: -
  • 전압-정격: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,166
A2T09D400-23NR6

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 716MHz ~ 960MHz
  • 이득: 17.8dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 10µA
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.2A
  • 전원-출력: 400W
  • 전압-정격: 70V
  • 패키지 / 케이스: OM-1230-4L2S
  • 공급자 장치 패키지: OM-1230-4L2S
재고 있음4,410
A2T09VD250NR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 920MHz
  • 이득: 22.5dB
  • 전압-테스트: 48V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1A
  • 전원-출력: 65W
  • 전압-정격: 105V
  • 패키지 / 케이스: TO-270-6 Variant, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: TO-270WB-6A
재고 있음2,790
A2T09VD300NR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 920MHz
  • 이득: 21.5dB
  • 전압-테스트: 48V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.2A
  • 전원-출력: 79W
  • 전압-정격: 105V
  • 패키지 / 케이스: TO-270-6 Variant, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: TO-270WB-6A
재고 있음7,542
A2T14H450-23NR6

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.452GHz ~ 1.511GHz
  • 이득: 18.8dB
  • 전압-테스트: 31V
  • 전류 정격 (Amps): 10µA
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1A
  • 전원-출력: -
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: OM-1230-4L2S
  • 공급자 장치 패키지: OM-1230-4L2S
재고 있음5,526
A2T18H100-25SR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.81GHZ

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 1.81GHz
  • 이득: 18.1dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 230mA
  • 전원-출력: 18W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780-4S4
  • 공급자 장치 패키지: NI-780-4S4
재고 있음649
A2T18H160-24SR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 1.81GHz
  • 이득: 17.9dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 400mA
  • 전원-출력: 28W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S-4L2L
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S-4L2L
재고 있음8,658
A2T18H410-24SR6

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 1.81GHz
  • 이득: 17.4dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 800mA
  • 전원-출력: 71W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L
  • 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L
재고 있음4,986
A2T18H450W19SR6

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz
  • 이득: 16.5dB
  • 전압-테스트: -
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: -
  • 전원-출력: 89W
  • 전압-정격: 30V
  • 패키지 / 케이스: NI-1230S-4S4S
  • 공급자 장치 패키지: NI-1230S-4S4S
재고 있음5,274
A2T18H455W23NR6

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz
  • 이득: 14.5dB
  • 전압-테스트: 31.5V
  • 전류 정격 (Amps): 10µA
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.08A
  • 전원-출력: 56dBm
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: OM-1230-4L2S
  • 공급자 장치 패키지: OM-1230-4L2S
재고 있음3,420
A2T18S160W31GSR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.88GHz
  • 이득: 19.9dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1A
  • 전원-출력: 32W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780GS-2L2LA
  • 공급자 장치 패키지: NI-780GS-2L2LA
재고 있음4,518
A2T18S160W31SR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.88GHz
  • 이득: 19.9dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1A
  • 전원-출력: 32W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S-2L2LA
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S-2L2LA
재고 있음4,770
A2T18S162W31GSR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.84GHz
  • 이득: 20.1dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1A
  • 전원-출력: 32W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780GS-2L2LA
  • 공급자 장치 패키지: NI-780GS-2L2LA
재고 있음5,364
A2T18S162W31SR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.84GHz
  • 이득: 20.1dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1A
  • 전원-출력: 32W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S-2L2LA
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S-2L2LA
재고 있음4,482
A2T18S165-12SR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.805GHz ~ 1.995GHz
  • 이득: 18dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 10µA
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 800mA
  • 전원-출력: 148W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780-2S2L
  • 공급자 장치 패키지: NI-780-2S2L
재고 있음8,316
A2T18S166W12SR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.805GHz ~ 1.995GHz
  • 이득: -
  • 전압-테스트: -
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: -
  • 전원-출력: 38W
  • 전압-정격: 28V
  • 패키지 / 케이스: NI-780-2S2L
  • 공급자 장치 패키지: NI-780-2S2L
재고 있음8,334
A2T18S260-12SR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.805GHz ~ 1.995GHz
  • 이득: 18.9dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 10µA
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.4A
  • 전원-출력: 257W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780-2S2L
  • 공급자 장치 패키지: NI-780-2S2L
재고 있음6,372
A2T18S260W12NR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz
  • 이득: 18.7dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 10µA
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.5A
  • 전원-출력: 280W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: OM-880X-2L2L
  • 공급자 장치 패키지: OM-880X-2L2L
재고 있음2,268
A2T18S261W12NR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz
  • 이득: 18.2dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 10µA
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.5A
  • 전원-출력: 280W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: OM-880X-2L2L
  • 공급자 장치 패키지: OM-880X-2L2L
재고 있음4,842
A2T18S262W12NR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz
  • 이득: 19.3dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 10µA
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.6A
  • 전원-출력: 231W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: OM-880X-2L2L
  • 공급자 장치 패키지: OM-880X-2L2L
재고 있음5,366