트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BG3130E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음6,264
BG3130H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,734
BG3130RE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음7,506
BG3130RH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음7,416
BG 3230 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,712
BG3430RE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,762
BG3430RH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,892
BG5120KE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 20mA 소음 수치: 1.1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,860
BG5120KH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 20mA 소음 수치: 1.1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음6,102
BG 5130R E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 3V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,454
BG5412KE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,472
BG5412KH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음7,686
BLA0912-250,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz ~ 1.22GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 36V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 250W 전압-정격: 75V 패키지 / 케이스: SOT-502A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음4,788
BLA0912-250R,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz ~ 1.22GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 36V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 250W 전압-정격: 75V 패키지 / 케이스: SOT-502A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음8,172
BLA1011-10,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 36V 전류 정격 (Amps): 2.2A 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 75V 패키지 / 케이스: SOT467C 공급자 장치 패키지: SOT467C	재고 있음8,856
BLA1011-200,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 36V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 200W 전압-정격: 75V 패키지 / 케이스: SOT-502A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음98
BLA1011-200R,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 36V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 200W 전압-정격: 75V 패키지 / 케이스: SOT-502A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음3,510
BLA1011-2,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 36V 전류 정격 (Amps): 2.2A 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 2W 전압-정격: 75V 패키지 / 케이스: SOT-538A 공급자 장치 패키지: 2-CSMD	재고 있음6,534
BLA1011-300,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 65V 16DB SOT957A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 15A 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음4,698
BLA1011S-200,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 36V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 200W 전압-정격: 75V 패키지 / 케이스: SOT-502B 공급자 장치 패키지: SOT502B	재고 있음5,274
BLA1011S-200R,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 36V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 200W 전압-정격: 75V 패키지 / 케이스: SOT-502B 공급자 장치 패키지: SOT502B	재고 있음7,236
BLA6G1011-200R,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 49A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 200W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-502A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음5,526
BLA6G1011L-200RG,1 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 49A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 200W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-502D 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음283
BLA6G1011LS-200RG, Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 49A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 200W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-502C 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음111
BLA6H0912-500,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz ~ 1.22GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 54A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 450W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT634A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음64
BLA6H0912L-1000U Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 1.03GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT539A 공급자 장치 패키지: SOT539A	재고 있음675
BLA6H0912LS-1000U Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 1.03GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT539B 공급자 장치 패키지: SOT539B	재고 있음267
BLA6H1011-600,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 48V 전류 정격 (Amps): 72A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT539A 공급자 장치 패키지: SOT539A	재고 있음252
BLA8G1011L-300GU Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.06GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-502A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음5,544
BLA8G1011L-300U Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.06GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-502A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음6,858

BG3130E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 24dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.3dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음6,264

BG3130H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 24dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.3dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,734

BG3130RE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 24dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.3dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음7,506

BG3130RH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 24dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.3dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음7,416

BG 3230 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 24dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.3dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,712

BG3430RE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.3dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,762

BG3430RH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.3dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,892

BG5120KE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 23dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 20mA
소음 수치: 1.1dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,860

BG5120KH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 23dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 20mA
소음 수치: 1.1dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음6,102

BG 5130R E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 24dB
전압-테스트: 3V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.3dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,454

BG5412KE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 24dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.1dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,472

BG5412KH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 24dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.1dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음7,686

BLA0912-250,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz ~ 1.22GHz
이득: 13dB
전압-테스트: 36V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: 250W
전압-정격: 75V
패키지 / 케이스: SOT-502A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음4,788

BLA0912-250R,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz ~ 1.22GHz
이득: 13dB
전압-테스트: 36V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: 250W
전압-정격: 75V
패키지 / 케이스: SOT-502A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음8,172

BLA1011-10,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 15dB
전압-테스트: 36V
전류 정격 (Amps): 2.2A
소음 수치: -
현재-테스트: 50mA
전원-출력: 10W
전압-정격: 75V
패키지 / 케이스: SOT467C
공급자 장치 패키지: SOT467C

재고 있음8,856

BLA1011-200,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 13dB
전압-테스트: 36V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 150mA
전원-출력: 200W
전압-정격: 75V
패키지 / 케이스: SOT-502A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음98

BLA1011-200R,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 13dB
전압-테스트: 36V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 150mA
전원-출력: 200W
전압-정격: 75V
패키지 / 케이스: SOT-502A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음3,510

BLA1011-2,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 36V
전류 정격 (Amps): 2.2A
소음 수치: -
현재-테스트: 50mA
전원-출력: 2W
전압-정격: 75V
패키지 / 케이스: SOT-538A
공급자 장치 패키지: 2-CSMD

재고 있음6,534

BLA1011-300,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 16DB SOT957A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): 15A
소음 수치: -
현재-테스트: 150mA
전원-출력: 300W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: SOT-957A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음4,698

BLA1011S-200,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 13dB
전압-테스트: 36V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 150mA
전원-출력: 200W
전압-정격: 75V
패키지 / 케이스: SOT-502B
공급자 장치 패키지: SOT502B

재고 있음5,274

BLA1011S-200R,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 13dB
전압-테스트: 36V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 150mA
전원-출력: 200W
전압-정격: 75V
패키지 / 케이스: SOT-502B
공급자 장치 패키지: SOT502B

재고 있음7,236

BLA6G1011-200R,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 20dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 49A
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 200W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: SOT-502A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음5,526

BLA6G1011L-200RG,1

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 20dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 49A
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 200W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: SOT-502D
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음283

BLA6G1011LS-200RG,

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 20dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 49A
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 200W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: SOT-502C
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음111

BLA6H0912-500,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz ~ 1.22GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 54A
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 450W
전압-정격: 100V
패키지 / 케이스: SOT634A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음64

BLA6H0912L-1000U

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 1.03GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 200mA
전원-출력: 1000W
전압-정격: 100V
패키지 / 케이스: SOT539A
공급자 장치 패키지: SOT539A

재고 있음675

BLA6H0912LS-1000U

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 1.03GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 200mA
전원-출력: 1000W
전압-정격: 100V
패키지 / 케이스: SOT539B
공급자 장치 패키지: SOT539B

재고 있음267

BLA6H1011-600,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 48V
전류 정격 (Amps): 72A
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 600W
전압-정격: 100V
패키지 / 케이스: SOT539A
공급자 장치 패키지: SOT539A

재고 있음252

BLA8G1011L-300GU

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.06GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 150mA
전원-출력: 300W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: SOT-502A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음5,544

BLA8G1011L-300U

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.06GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 150mA
전원-출력: 300W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: SOT-502A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음6,858

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