트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BF908,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음7,902
BF908R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음2,970
BF908R,235 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음2,628
BF908WR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음6,336
BF909,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,294
BF909,235 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음2,358
BF909A,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH SOT-143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음2,592
BF909AR,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH SOT-143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: MESFET Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음4,356
BF909AWR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음8,694
BF909R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음4,158
BF909R,235 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음6,642
BF909WR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음7,218
BF909WR,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음7,560
BF991,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 100MHz 이득: 29dB 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 20mA 소음 수치: 0.7dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,562
BF992,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 1.2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음8,460
BF994S,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 15V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,040
BF996S,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 15V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음8,172
BF998,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음8,640
BF998,235 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,616
BF998E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 45MHz 이득: 28dB 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 2.8dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음8,802
BF998R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음5,742
BF998R,235 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음3,420
BF998RE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 45MHz 이득: 28dB 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 2.8dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: PG-SOT143R-4	재고 있음4,968
BF998WR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 200MHz 이득: - 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음2,304
BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 45MHz 이득: 27dB 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 2.1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,240
BF999E6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 45MHz 이득: 27dB 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 2.1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,754
BG3123E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA, 20mA 소음 수치: 1.8dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음2,700
BG3123H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA, 20mA 소음 수치: 1.8dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음6,588
BG3123RE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA, 20mA 소음 수치: 1.8dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음2,070
BG3123RH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 800MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA, 20mA 소음 수치: 1.8dB 현재-테스트: 14mA 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음7,956

BF908,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음7,902

BF908R,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음2,970

BF908R,235

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음2,628

BF908WR,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음6,336

BF909,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음3,294

BF909,235

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음2,358

BF909A,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH SOT-143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음2,592

BF909AR,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH SOT-143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: MESFET Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음4,356

BF909AWR,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음8,694

BF909R,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음4,158

BF909R,235

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음6,642

BF909WR,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음7,218

BF909WR,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음7,560

BF991,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 100MHz
이득: 29dB
전압-테스트: 10V
전류 정격 (Amps): 20mA
소음 수치: 0.7dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 20V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,562

BF992,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 10V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 1.2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 20V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음8,460

BF994S,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 15V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 1dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 20V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,040

BF996S,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 15V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 1dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 20V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음8,172

BF998,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음8,640

BF998,235

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,616

BF998E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 45MHz
이득: 28dB
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 2.8dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음8,802

BF998R,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음5,742

BF998R,235

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음3,420

BF998RE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 45MHz
이득: 28dB
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 2.8dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: PG-SOT143R-4

재고 있음4,968

BF998WR,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 200MHz
이득: -
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음2,304

BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 45MHz
이득: 27dB
전압-테스트: 10V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 2.1dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 20V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,240

BF999E6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 45MHz
이득: 27dB
전압-테스트: 10V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 2.1dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 20V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,754

BG3123E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA, 20mA
소음 수치: 1.8dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음2,700

BG3123H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA, 20mA
소음 수치: 1.8dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음6,588

BG3123RE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA, 20mA
소음 수치: 1.8dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음2,070

BG3123RH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual)
주파수: 800MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA, 20mA
소음 수치: 1.8dB
현재-테스트: 14mA
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음7,956

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