트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MHE1003NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz ~ 2.5GHz 이득: 14.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 53dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음8,352
MHT1001HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.39GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 40W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음8,208
MHT1003NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz ~ 2.5GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 250W 전압-정격: 32V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음7,614
MHT1004GNR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.45GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 280W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-780-2G 공급자 장치 패키지: OM-780-2 Gull	재고 있음2,250
MHT1004NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.45GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 280W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음7,866
MHT1006NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 21.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 90mA 전원-출력: 1.26W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: PLD-1.5W 공급자 장치 패키지: PLD-1.5W	재고 있음6,030
MHT1008NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz ~ 2.5GHz 이득: 18.6dB 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 12.5W 전압-정격: 28V 패키지 / 케이스: PLD-1.5W 공급자 장치 패키지: PLD-1.5W	재고 있음4,590
MHT1108NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.45GHz 이득: 18.6dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 110mA 전원-출력: 12.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 16-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-DFN (4x6)	재고 있음4,338
MMBF102 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 20MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 20mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,222
MMBF4416 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 30V 15MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 100MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 15V 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 5mA 전원-출력: - 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,146
MMBF4416A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 35V 15MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 400MHz 이득: - 전압-테스트: 15V 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: 4dB 현재-테스트: 5mA 전원-출력: - 전압-정격: 35V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,658
MMBF4416LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 30V 15MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음7,416
MMBF4416LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 30V 15MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음7,488
MMBF5484 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 5MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 400MHz 이득: - 전압-테스트: 15V 전류 정격 (Amps): 5mA 소음 수치: 4dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,208
MMBF5485 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 10MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 400MHz 이득: - 전압-테스트: 15V 전류 정격 (Amps): 10mA 소음 수치: 4dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음76,050
MMBF5485_NB50012 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC POWER MANAGEMENT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 400MHz 이득: - 전압-테스트: 15V 전류 정격 (Amps): 10mA 소음 수치: 4dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,790
MMBF5486 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 20MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 400MHz 이득: - 전압-테스트: 15V 전류 정격 (Amps): 20mA 소음 수치: 4dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,232
MMBFJ210 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 15MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,194
MMBFJ211 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 20MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 20mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,802
MMBFJ212 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 40MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,148
MMBFJ304 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 30V 15MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음2,088
MMBFJ309 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 30MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 450MHz 이득: 12dB 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 3dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음23,034
MMBFJ309LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 30MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음2,556
MMBFJ309LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 25V 30MA SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음8,046
MMBFJ310 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 450MHz 이득: 12dB 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: 3dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음57,576
MMBFJ310LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: 12dB 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음2,358
MMBFJ310LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: 12dB 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음348,810
MMBFJ310LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: - 이득: 12dB 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 25V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음2,430
MMRF1004GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 130mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음4,824
MMRF1004NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 130mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음4,680

MHE1003NR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.4GHz ~ 2.5GHz
이득: 14.1dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 50mA
전원-출력: 53dBm
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: OM-780-2
공급자 장치 패키지: OM-780-2

재고 있음8,352

MHT1001HR5

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
주파수: 2.39GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.9A
전원-출력: 40W
전압-정격: 68V
패키지 / 케이스: SOT-979A
공급자 장치 패키지: NI-1230-4H

재고 있음8,208

MHT1003NR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.4GHz ~ 2.5GHz
이득: 15.9dB
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: 250W
전압-정격: 32V
패키지 / 케이스: OM-780-2
공급자 장치 패키지: OM-780-2

재고 있음7,614

MHT1004GNR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.45GHz
이득: 15.2dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 280W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: OM-780-2G
공급자 장치 패키지: OM-780-2 Gull

재고 있음2,250

MHT1004NR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.45GHz
이득: 15.2dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 280W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: OM-780-2
공급자 장치 패키지: OM-780-2

재고 있음7,866

MHT1006NT1

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 21.7dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 90mA
전원-출력: 1.26W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: PLD-1.5W
공급자 장치 패키지: PLD-1.5W

재고 있음6,030

MHT1008NT1

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.4GHz ~ 2.5GHz
이득: 18.6dB
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: 12.5W
전압-정격: 28V
패키지 / 케이스: PLD-1.5W
공급자 장치 패키지: PLD-1.5W

재고 있음4,590

MHT1108NT1

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.45GHz
이득: 18.6dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 110mA
전원-출력: 12.5W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 16-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 16-DFN (4x6)

재고 있음4,338

MMBF102

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 20MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 20mA
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,222

MMBF4416

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 30V 15MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: 100MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 15V
전류 정격 (Amps): 15mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 5mA
전원-출력: -
전압-정격: 30V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,146

MMBF4416A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 35V 15MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: 400MHz
이득: -
전압-테스트: 15V
전류 정격 (Amps): 15mA
소음 수치: 4dB
현재-테스트: 5mA
전원-출력: -
전압-정격: 35V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,658

MMBF4416LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 30V 15MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 15mA
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 30V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음7,416

MMBF4416LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 30V 15MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 15mA
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 30V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음7,488

MMBF5484

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 5MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: 400MHz
이득: -
전압-테스트: 15V
전류 정격 (Amps): 5mA
소음 수치: 4dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,208

MMBF5485

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 10MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: 400MHz
이득: -
전압-테스트: 15V
전류 정격 (Amps): 10mA
소음 수치: 4dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음76,050

MMBF5485_NB50012

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC POWER MANAGEMENT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: 400MHz
이득: -
전압-테스트: 15V
전류 정격 (Amps): 10mA
소음 수치: 4dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,790

MMBF5486

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 20MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: 400MHz
이득: -
전압-테스트: 15V
전류 정격 (Amps): 20mA
소음 수치: 4dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,232

MMBFJ210

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 15MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 15mA
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,194

MMBFJ211

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 20MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 20mA
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,802

MMBFJ212

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 40MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,148

MMBFJ304

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 30V 15MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 15mA
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 30V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음2,088

MMBFJ309

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 30MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: 450MHz
이득: 12dB
전압-테스트: 10V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 3dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음23,034

MMBFJ309LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 30MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음2,556

MMBFJ309LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

JFET N-CH 25V 30MA SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음8,046

MMBFJ310

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: 450MHz
이득: 12dB
전압-테스트: 10V
전류 정격 (Amps): 60mA
소음 수치: 3dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음57,576

MMBFJ310LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: 12dB
전압-테스트: 10V
전류 정격 (Amps): 60mA
소음 수치: -
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음2,358

MMBFJ310LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: 12dB
전압-테스트: 10V
전류 정격 (Amps): 60mA
소음 수치: -
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음348,810

MMBFJ310LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel JFET
주파수: -
이득: 12dB
전압-테스트: 10V
전류 정격 (Amps): 60mA
소음 수치: -
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 25V
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음2,430

MMRF1004GNR1

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 130mA
전원-출력: 10W
전압-정격: 68V
패키지 / 케이스: TO-270BA
공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL

재고 있음4,824

MMRF1004NR1

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 130mA
전원-출력: 10W
전압-정격: 68V
패키지 / 케이스: TO-270AA
공급자 장치 패키지: TO-270-2

재고 있음4,680

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message