트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PTFA211801EV5XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 140W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음6,408
PTFA211801F V4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 35W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음3,996
PTFA211801F V4 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 35W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음5,490
PTFA212001EV4R0XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 200W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음7,650
PTFA212001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음7,326
PTFA212001EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음5,958
PTFA212001F/1 P4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음7,362
PTFA212001F1V4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음8,388
PTFA212001F1V4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음7,200
PTFA212001FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음2,376
PTFA212001FV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음2,520
PTFA212401E V4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음6,750
PTFA212401E V4 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음5,094
PTFA212401F V4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음2,772
PTFA212401F V4 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음3,960
PTFA220041M-V4 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 4W SON10 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 10-LDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: PG-SON-10	재고 있음5,868
PTFA220041M-V4-R1K Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET TRANSISTORS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,528
PTFA220081M-V4 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 8W SON10 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 20.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 8W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 10-LDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: PG-SON-10	재고 있음4,158
PTFA220081MV4S500XUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 10-SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,570
PTFA220121M-V4 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 10W SON10 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 16.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 9.3W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 10-LDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: PG-SON-10	재고 있음3,024
PTFA220121M-V4-R1K Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET TRANSISTORS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,398
PTFA240451E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.48GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-30265-2	재고 있음8,298
PTFA240451E V1 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.48GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-30265-2	재고 있음5,382
PTFA241301E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.42GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.15A 전원-출력: 130W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-30260-2	재고 있음2,196
PTFA241301F V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.42GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.15A 전원-출력: 130W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-31260-2	재고 있음2,052
PTFA260451E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.68GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-30265-2	재고 있음6,930
PTFA260851E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.68GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 85W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-30248-2	재고 있음5,400
PTFA260851E V1 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.68GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 85W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-30248-2	재고 있음5,688
PTFA260851F V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.68GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 85W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-31248-2	재고 있음3,366
PTFA260851F V1 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.68GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 85W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-31248-2	재고 있음4,734

PTFA211801EV5XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 140W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음6,408

PTFA211801F V4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 35W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음3,996

PTFA211801F V4 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 35W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음5,490

PTFA212001EV4R0XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 200W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음7,650

PTFA212001EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음7,326

PTFA212001EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음5,958

PTFA212001F/1 P4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음7,362

PTFA212001F1V4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음8,388

PTFA212001F1V4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음7,200

PTFA212001FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음2,376

PTFA212001FV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음2,520

PTFA212401E V4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음6,750

PTFA212401E V4 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음5,094

PTFA212401F V4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음2,772

PTFA212401F V4 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.8dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음3,960

PTFA220041M-V4

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 4W SON10

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 940MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 50mA
전원-출력: 5W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 10-LDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: PG-SON-10

재고 있음5,868

PTFA220041M-V4-R1K

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET TRANSISTORS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,528

PTFA220081M-V4

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 8W SON10

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 940MHz
이득: 20.7dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 8W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 10-LDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: PG-SON-10

재고 있음4,158

PTFA220081MV4S500XUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS 10-SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,570

PTFA220121M-V4

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 10W SON10

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 16.2dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 150mA
전원-출력: 9.3W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 10-LDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: PG-SON-10

재고 있음3,024

PTFA220121M-V4-R1K

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET TRANSISTORS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,398

PTFA240451E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.48GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 450mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-30265-2

재고 있음8,298

PTFA240451E V1 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.48GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 450mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-30265-2

재고 있음5,382

PTFA241301E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.42GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.15A
전원-출력: 130W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-30260-2

재고 있음2,196

PTFA241301F V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.42GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.15A
전원-출력: 130W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-31260-2

재고 있음2,052

PTFA260451E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.68GHz
이득: 15dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-30265-2

재고 있음6,930

PTFA260851E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.68GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 85W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-30248-2

재고 있음5,400

PTFA260851E V1 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.68GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 85W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-30248-2

재고 있음5,688

PTFA260851F V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.68GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 85W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-31248-2

재고 있음3,366

PTFA260851F V1 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.68GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 85W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-31248-2

재고 있음4,734

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