트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PTFB182557SH-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,124
PTFB183404E-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-36275-8 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.6A 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36275-8 공급자 장치 패키지: H-36275-8	재고 있음6,714
PTFB183404E-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.6A 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36275-8 공급자 장치 패키지: H-36275-8	재고 있음3,132
PTFB183404F-V2-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37275-6 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.6A 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37275-6/2 공급자 장치 패키지: H-37275-6/2	재고 있음5,742
PTFB183404F-V2-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.6A 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37275-6/2 공급자 장치 패키지: H-37275-6/2	재고 있음5,346
PTFB191501EV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 150W H36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음4,680
PTFB191501EV1XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 150W H36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음8,298
PTFB191501FV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 150W H37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음5,670
PTFB191501FV1XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 150W H37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음6,840
PTFB192503EL-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-33288-6 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-33288-6 공급자 장치 패키지: H-33288-6	재고 있음3,078
PTFB192503EL-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-33288-6 공급자 장치 패키지: H-33288-6	재고 있음8,478
PTFB192503FL-V2-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-34288-4 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-34288-4/2	재고 있음3,582
PTFB192503FL-V2-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-34288-4/2 공급자 장치 패키지: H-34288-4/2	재고 있음4,158
PTFB192557SHV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.35A 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-34288G-4/2 공급자 장치 패키지: H-34288G-4/2	재고 있음3,654
PTFB192557SHV1XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.35A 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-34288G-4/2 공급자 장치 패키지: H-34288G-4/2	재고 있음5,652
PTFB193404F-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37275-6 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.6A 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37275-6/2 공급자 장치 패키지: H-37275-6/2	재고 있음5,094
PTFB193404F-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.6A 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37275-6/2 공급자 장치 패키지: H-37275-6/2	재고 있음4,698
PTFB193408SVV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.65A 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-34275G-6/2 공급자 장치 패키지: H-34275G-6/2	재고 있음8,046
PTFB193408SVV1XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.65A 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-34275G-6/2 공급자 장치 패키지: H-34275G-6/2	재고 있음6,354
PTFB201402FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.02GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 20W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음2,196
PTFB210801FA-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37265-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 20W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-2 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음7,830
PTFB210801FA-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 80W H37265-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 20W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음8,280
PTFB211501E-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-36248-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36248-2 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음6,894
PTFB211501E-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 150W H36248-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음6,120
PTFB211501FV1R0XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-2 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음7,776
PTFB211501FV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음4,968
PTFB211503EL-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-33288-6 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-33288-6 공급자 장치 패키지: H-33288-6	재고 있음6,516
PTFB211503EL-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-33288-6 공급자 장치 패키지: H-33288-6	재고 있음3,490
PTFB211503FL-V2-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-34288-4 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-34288-4/2	재고 있음3,526
PTFB211503FL-V2-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-34288-4/2	재고 있음5,454

PTFB182557SH-V1-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,124

PTFB183404E-V1-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-36275-8

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 2.6A
전원-출력: 80W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36275-8
공급자 장치 패키지: H-36275-8

재고 있음6,714

PTFB183404E-V1-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 2.6A
전원-출력: 80W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36275-8
공급자 장치 패키지: H-36275-8

재고 있음3,132

PTFB183404F-V2-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-37275-6

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 2.6A
전원-출력: 80W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-37275-6/2
공급자 장치 패키지: H-37275-6/2

재고 있음5,742

PTFB183404F-V2-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 2.6A
전원-출력: 80W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-37275-6/2
공급자 장치 패키지: H-37275-6/2

재고 있음5,346

PTFB191501EV1R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 150W H36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음4,680

PTFB191501EV1XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 150W H36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음8,298

PTFB191501FV1R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 150W H37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음5,670

PTFB191501FV1XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 150W H37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음6,840

PTFB192503EL-V1-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-33288-6

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.9A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-33288-6
공급자 장치 패키지: H-33288-6

재고 있음3,078

PTFB192503EL-V1-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.9A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-33288-6
공급자 장치 패키지: H-33288-6

재고 있음8,478

PTFB192503FL-V2-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-34288-4

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.9A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-34288-4/2

재고 있음3,582

PTFB192503FL-V2-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.9A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-34288-4/2
공급자 장치 패키지: H-34288-4/2

재고 있음4,158

PTFB192557SHV1R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.35A
전원-출력: 60W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-34288G-4/2
공급자 장치 패키지: H-34288G-4/2

재고 있음3,654

PTFB192557SHV1XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.35A
전원-출력: 60W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-34288G-4/2
공급자 장치 패키지: H-34288G-4/2

재고 있음5,652

PTFB193404F-V1-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-37275-6

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 2.6A
전원-출력: 80W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-37275-6/2
공급자 장치 패키지: H-37275-6/2

재고 있음5,094

PTFB193404F-V1-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 2.6A
전원-출력: 80W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-37275-6/2
공급자 장치 패키지: H-37275-6/2

재고 있음4,698

PTFB193408SVV1R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 2.65A
전원-출력: 80W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-34275G-6/2
공급자 장치 패키지: H-34275G-6/2

재고 있음8,046

PTFB193408SVV1XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 2.65A
전원-출력: 80W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-34275G-6/2
공급자 장치 패키지: H-34275G-6/2

재고 있음6,354

PTFB201402FC-V1-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
주파수: 2.02GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 20W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-37248-4
공급자 장치 패키지: H-37248-4

재고 있음2,196

PTFB210801FA-V1-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-37265-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 20W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-37248-2
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음7,830

PTFB210801FA-V1-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 80W H37265-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 20W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음8,280

PTFB211501E-V1-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-36248-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 40W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36248-2
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음6,894

PTFB211501E-V1-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 150W H36248-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 40W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음6,120

PTFB211501FV1R0XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 40W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-37248-2
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음7,776

PTFB211501FV1R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 40W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음4,968

PTFB211503EL-V1-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-33288-6

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 32W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-33288-6
공급자 장치 패키지: H-33288-6

재고 있음6,516

PTFB211503EL-V1-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 32W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-33288-6
공급자 장치 패키지: H-33288-6

재고 있음3,490

PTFB211503FL-V2-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS H-34288-4

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 32W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-34288-4/2

재고 있음3,526

PTFB211503FL-V2-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC AMP RF LDMOS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 32W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-34288-4/2

재고 있음5,454

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