트랜지스터

2N7002AQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 180MA SOT23

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 370mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
• Vgs (최대): 40V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002BK,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 370mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002BKM,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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2N7002BKMB,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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2N7002BKT,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 290mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 260mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-75
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

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2N7002BKVL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 370mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002BKW,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 275mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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2N7002CK,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002CKVL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002-D87Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002E

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002E

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7002E,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 385mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.69nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 830mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7002-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7002E-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.22nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 370mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7002E-7-G

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V SOT23

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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2N7002E-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002ET1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.81nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26.7pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Tj)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7002E-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002ET3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.81nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26.7pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Tj)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002ET7G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NFET SOT23 60V 115MA 7MO

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.81nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Tj)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002F,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 475mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.69nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 830mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002-G

Comchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23

• 제조업체: Comchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002H-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 370mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N7002H6327XTSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7002H-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 370mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7002-HF

Comchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23

• 제조업체: Comchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7002K

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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