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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
2N7002_S00Z
2N7002_S00Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음8,892
2N7002T
2N7002T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523F
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
재고 있음111,180
2N7002T-13-G
2N7002T-13-G

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음6,894
2N7002-T1-E3
2N7002-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-236
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음3,564
2N7002-T1-GE3
2N7002-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-236
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음137,856
2N7002T,215

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 830mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음7,452
2N7002T-7
2N7002T-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
재고 있음3,888
2N7002T-7-F
2N7002T-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
재고 있음5,349,804
2N7002T-7-G
2N7002T-7-G

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음7,812
2N7002TA
2N7002TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음5,382
2N7002TC
2N7002TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음6,822
2N7002-TP
2N7002-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음2,723,664
2N7002TQ-7-F
2N7002TQ-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 115MA SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
재고 있음119,358
2N7002 TR
2N7002 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): 40V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음955,332
2N7002 TR13
2N7002 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): 40V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음5,850
2N7002T-TP
2N7002T-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
재고 있음6,570
2N7002W
2N7002W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음1,849,488
2N7002W-7
2N7002W-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음5,472
2N7002W-7-F
2N7002W-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음2,639,808
2N7002WKX-13
2N7002WKX-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음5,418
2N7002WKX-7
2N7002WKX-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음4,032
2N7002WST1G
2N7002WST1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음7,650
2N7002WT1G
2N7002WT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24.5pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 280mW (Tj)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음2,155,212
2N7002WT3G
2N7002WT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-323

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24.5pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 280mW (Tj)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음5,112
2N7002W-TP
2N7002W-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음342,600
2N7008
2N7008

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): 40V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음6,642
2N7008-G
2N7008-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음22,440
2N7224
2N7224

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V TO-254AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-254AA
  • 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
재고 있음76
2N7224U
2N7224U

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 34A SMD1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-267AB
  • 패키지 / 케이스: TO-267AB
재고 있음4,446
2N7225
2N7225

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V TO-254AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27.4A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-254AA
  • 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
재고 있음8,100