트랜지스터

2N7225U

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V SMD1

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-267AB
• 패키지 / 케이스: TO-267AB

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7227

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V TO-254AA

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-254AA
• 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7227U

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V SMD1

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-267AB
• 패키지 / 케이스: TO-267AB

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7228

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V TO-254AA

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-254AA
• 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7228U

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V SMD1

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-267AB
• 패키지 / 케이스: TO-267AB

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7236

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V TO-254AA

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-254AA
• 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7236U

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V SMD1

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-267AB
• 패키지 / 케이스: TO-267AB

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7635-GA

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 650V 4A TO-257

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) (165°C)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 324pF @ 35V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 47W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-257
• 패키지 / 케이스: TO-257-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7636-GA

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 650V 4A TO276

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) (165°C)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 324pF @ 35V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-276
• 패키지 / 케이스: TO-276AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7637-GA

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 650V 7A TO-257

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) (165°C)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 35V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-257
• 패키지 / 케이스: TO-257-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7638-GA

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 650V 8A TO276

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) (158°C)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 35V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-276
• 패키지 / 케이스: TO-276AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7639-GA

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 650V 15A TO-257

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) (155°C)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 15A
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1534pF @ 35V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 172W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-257
• 패키지 / 케이스: TO-257-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N7640-GA

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 650V 16A TO276

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) (155°C)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16A
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1534pF @ 35V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 330W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-276
• 패키지 / 케이스: TO-276AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ053600L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 10mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ0536G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 10mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
• 패키지 / 케이스: SC-85

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ058200L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 200V 2A U-G2

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 10W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: U-G2
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ067400L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1
• 패키지 / 케이스: SOT-723

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ0674G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2
• 패키지 / 케이스: SOT-723

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ162-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P

• 제조업체: Renesas Electronics America
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 160V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±15V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ168TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-59
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ304(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 40W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ305TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 92pF @ 3V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-59
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ360(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PW-MINI
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ360(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PW-MINI
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ377(TE16R1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 20W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PW-MOLD
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ380(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ438(AISIN,A,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ438(AISIN,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ438(CANO,A,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SJ438(CANO,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트