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트랜지스터

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부품 번호
설명
재고 있음
수량
AON6370P
AON6370P

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 23A DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음3,816
AON6372
AON6372

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 26W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음4,536
AON6380
AON6380

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음3,418
AON6382
AON6382

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음2,088
AON6384
AON6384

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1330pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 36W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음3,474
AON6400
AON6400

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8300pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음8,568
AON6400L
AON6400L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음3,654
AON6400L_002
AON6400L_002

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8300pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음2,826
AON6403
AON6403

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 196nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9120pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음295,554
AON6403L
AON6403L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 196nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9120pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
재고 있음2,070
AON6403L_APP
AON6403L_APP

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 196nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9120pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
재고 있음3,780
AON6404
AON6404

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 155nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음6,174
AON6404A
AON6404A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5210pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음4,140
AON6404A_001
AON6404A_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5210pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음4,356
AON6405
AON6405

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음2,952
AON6405L_102
AON6405L_102

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
재고 있음8,244
AON6406
AON6406

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 170A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 110W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
재고 있음2,052
AON6407
AON6407

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3505pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음533,982
AON6408L
AON6408L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Ta), 25A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 31W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음3,472
AON6410
AON6410

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 24A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1452pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음4,338
AON6411
AON6411

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10290pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 156W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음49,392
AON6411_001
AON6411_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Ta), 85A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10290pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 156W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음8,766
AON6413
AON6413

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 32A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2142pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음8,046
AON6413_101
AON6413_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 32A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2142pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
재고 있음8,388
AON6414A
AON6414A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5X6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음25,770
AON6414AL
AON6414AL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
재고 있음4,482
AON6414G
AON6414G

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음8,406
AON6416
AON6416

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SDMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 22A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 31W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음3,762
AON6418
AON6418

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A SDMOS 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SDMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 36A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1229pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6W (Ta), 25W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음2,628
AON6424
AON6424

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 41A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 25W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
재고 있음3,744