트랜지스터

AON6424A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaMOS
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 41A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

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AON6426

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 65A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6428

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 43A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6428_103

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 43A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6435

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 34A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6440

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 5X6 DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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AON6442

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 32A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6444

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 5X6DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 81A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5800pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6444L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6448

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 5X6DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 65A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6448L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 65A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON6448L_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 65A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON6450

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AON6450L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6450L_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6452

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 6.5A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 26A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AON6452L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 26A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON6454A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 5A DFN5X6

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2055pF @ 75V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AON6454A_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6458

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 2.2A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta), 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6482

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta), 28A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6484

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3.3A DFN5X6

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta), 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 942pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6500

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 71A (Ta), 200A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7036pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6500_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 71A DFN5X6

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 71A (Ta), 200A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7036pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6502

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Ta), 85A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3430pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6504

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 51A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Ta), 85A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2719pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6504_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6506

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 36A DFN5X6

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 36A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2719pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.2W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6508

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 29A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 32A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2010pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.2W (Ta), 41W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6508_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaMOS
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 32A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2010pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.2W (Ta), 41W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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