트랜지스터

AON6792

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 44A DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SRFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta), 85A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6794

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 39A DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Ta), 85A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6796

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SRFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

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AON6912ALS

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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AON6914

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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AON6916

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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AON6970_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON6970_002

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON7140

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3350pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 46W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON7200

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.8A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7200_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.8A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7200_102

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.8A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7200L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.8A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7202

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7202_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7202L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7210

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON7220

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 37A DFN3.3X3.3

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Ta), 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3554pF @ 12.5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON7230

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 100V 47A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2320pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 54W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON7232

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 100V 37A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 39W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON7240

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 19A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7240_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7242

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 30A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2365pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON7244

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2435pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON7246

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 10A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 34.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 34.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7246_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 34.5A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 34.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7246E

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 13A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaSGT™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 24W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AON7254

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 17A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaMOS
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta), 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 75V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 39W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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AON7262E

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 34A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaSGT™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 34A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 43W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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AON7264E

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaSGT™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 27.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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