트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
AON6566P Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 27A DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음2,898
AON6572 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3290pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음5,058
AON6576 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음6,120
AON6578 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5.6W (Ta), 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음6,822
AON6586 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음4,536
AON6588 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2160pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음5,706
AON6590 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8320pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음6,966
AON6594 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1037pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음4,608
AON6596 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음2,502
AON6598 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,766
AON6702 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5X6DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: SRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7080pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음8,262
AON6718L_101 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: SRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4463pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-DFN	재고 있음5,688
AON6734 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 5X6 DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,964
AON6748_101 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,712
AON6748_102 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,924
AON6752 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 54A DFN5X6 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3509pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 7.4W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음7,218
AON6754 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 52A 8DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2796pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음2,340
AON6756 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 47A DFN5X6 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Ta), 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2796pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음7,668
AON6756_101 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2796pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad	재고 있음2,304
AON6758 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음5,904
AON6758_101 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad	재고 있음8,442
AON6758_102 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad	재고 있음3,924
AON6758_103 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad	재고 있음5,328
AON6758_104 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad	재고 있음3,562
AON6760 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 36A 8DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3440pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음5,166
AON6764 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 1V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음6,462
AON6774 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaMOS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음7,668
AON6780 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A DFN5X6 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: SRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음5,436
AON6782 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: SRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6780pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음7,614
AON6786_001 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 24A DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: SRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6780pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음3,564

AON6566P

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 27A DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음2,898

AON6572

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3290pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음5,058

AON6576

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Ta), 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음6,120

AON6578

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5.6W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음6,822

AON6586

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음4,536

AON6588

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2160pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음5,706

AON6590

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8320pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음6,966

AON6594

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1037pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음4,608

AON6596

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음2,502

AON6598

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,766

AON6702

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5X6DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: SRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7080pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음8,262

AON6718L_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: SRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4463pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-DFN

재고 있음5,688

AON6734

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 5X6 DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,964

AON6748_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,712

AON6748_102

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,924

AON6752

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 54A DFN5X6

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3509pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음7,218

AON6754

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 52A 8DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2796pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음2,340

AON6756

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 47A DFN5X6

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Ta), 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2796pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음7,668

AON6756_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2796pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

재고 있음2,304

AON6758

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음5,904

AON6758_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

재고 있음8,442

AON6758_102

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

재고 있음3,924

AON6758_103

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

재고 있음5,328

AON6758_104

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1975pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

재고 있음3,562

AON6760

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 36A 8DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3440pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음5,166

AON6764

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 1V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음6,462

AON6774

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaMOS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음7,668

AON6780

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A DFN5X6

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: SRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음5,436

AON6782

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: SRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6780pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음7,614

AON6786_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: SRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6780pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음3,564

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