2N4339-E3 데이터 시트
Vishay Siliconix 제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 50V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 600mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
Vishay Siliconix 제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 50V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 600mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
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Vishay Siliconix 제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 50V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 300mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
Vishay Siliconix 제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 50V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 300mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
Vishay Siliconix 제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 50V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 300mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |