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2N4338

2N4338

참조 용

부품 번호 2N4338
PNEDA 부품 번호 2N4338
설명 MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
제조업체 Vishay Siliconix
단가
1 ---------- $11.4853
100 ---------- $10.9469
250 ---------- $10.4086
500 ---------- $9.8702
750 ---------- $9.4215
1,000 ---------- $8.9729
재고 있음 1,825
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2N4338 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4338
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N4338, 2N4338 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 75.44 KB)
PDF2N4339-E3 데이터 시트 표지
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  • 2N4338 Price
  • 2N4338 Distributor

2N4338 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)50V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)200µA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id300mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-206AA (TO-18)

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N-Channel

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30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.5V @ 3nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

7 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

8 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N4117A

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AF (TO-72)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

40mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

12 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PN4117A_D26Z

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

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Through Hole

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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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