2SA1680 데이터 시트
|
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V 전력-최대 900mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V 전력-최대 900mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V 전력-최대 900mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V 전력-최대 900mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V 전력-최대 900mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V 전력-최대 900mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
