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2SA1680(F,M)

2SA1680(F,M)

참조 용

부품 번호 2SA1680(F,M)
PNEDA 부품 번호 2SA1680-F-M
설명 TRANS PNP 2A 50V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SA1680(F 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1680(F,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA1680(F, 2SA1680(F 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 192.15 KB)
PDF2SA1680 데이터 시트 표지
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2SA1680(F 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 2V
전력-최대900mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 40mA, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 500mA, 2V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 500mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

280MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 6mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5000 @ 6A, 4V

전력-최대

80W

주파수-전환

65MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 60mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

280 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

TP

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 40mA, 400mA

전류-수집기 차단 (최대)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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