BA783-HG3-08 데이터 시트
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 35V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 1.2pF @ 3V, 1MHz 저항 @ If, F 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 125°C (TJ) 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 35V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 1.2pF @ 3V, 1MHz 저항 @ If, F 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 125°C (TJ) 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 35V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 1.25pF @ 3V, 1MHz 저항 @ If, F 700mOhm @ 3mA, 1GHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 125°C (TJ) 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 35V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 1.25pF @ 3V, 1MHz 저항 @ If, F 700mOhm @ 3mA, 1GHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 125°C (TJ) 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 35V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 1.2pF @ 3V, 1MHz 저항 @ If, F 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 125°C (TJ) 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 35V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 1.25pF @ 3V, 1MHz 저항 @ If, F 700mOhm @ 3mA, 1GHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 125°C (TJ) 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
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