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BA783-HG3-18

BA783-HG3-18

참조 용

부품 번호 BA783-HG3-18
PNEDA 부품 번호 BA783-HG3-18
설명 RF DIODE PIN 35V SOD123
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,344
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA783-HG3-18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA783-HG3-18
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BA783-HG3-18, BA783-HG3-18 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 72.02 KB)
PDFBA783-HG3-08 데이터 시트 표지
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  • BA783-HG3-18 Distributor

BA783-HG3-18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)35V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 3V, 1MHz
저항 @ If, F1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

18Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BA783-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

DSG9500-000

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제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.025pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

4Ohm @ 50mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 2 Pair Series

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.9Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

300mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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6-TSSOP

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