BBY5305WH6327XTSA1 데이터 시트
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 3.1pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.6 커패시턴스 비율 조건 C1/C3 전압-피크 역방향 (최대) 6V 다이오드 유형 1 Pair Common Cathode Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 PG-SOT323-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 3.1pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.6 커패시턴스 비율 조건 C1/C3 전압-피크 역방향 (최대) 6V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-80 공급자 장치 패키지 SCD-80 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 3.1pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.6 커패시턴스 비율 조건 C1/C3 전압-피크 역방향 (최대) 6V 다이오드 유형 1 Pair Common Cathode Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 3.1pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.6 커패시턴스 비율 조건 C1/C3 전압-피크 역방향 (최대) 6V 다이오드 유형 1 Pair Common Cathode Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 PG-SOT323-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 3.1pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.6 커패시턴스 비율 조건 C1/C3 전압-피크 역방향 (최대) 6V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-80 공급자 장치 패키지 SCD-80 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 3.1pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.6 커패시턴스 비율 조건 C1/C3 전압-피크 역방향 (최대) 6V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지 PG-SC79-2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 3.1pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.6 커패시턴스 비율 조건 C1/C3 전압-피크 역방향 (최대) 6V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-882 공급자 장치 패키지 PG-TSLP-2 |
