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BBY5305WE6327HTSA1

BBY5305WE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BBY5305WE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BBY5305WE6327HTSA1
설명 DIODE TUNING HIGH Q CC SOT-323
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,094
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BBY5305WE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BBY5305WE6327HTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
BBY5305WE6327HTSA1, BBY5305WE6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 986.75 KB)
PDFBBY5305WH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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  • BBY5305WE6327HTSA1 Distributor

BBY5305WE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F3.1pF @ 3V, 1MHz
커패시턴스 비율2.6
커패시턴스 비율 조건C1/C3
전압-피크 역방향 (최대)6V
다이오드 유형1 Pair Common Cathode
Q @ Vr, F-
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지PG-SOT323-3

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커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

12V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SC-79

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.9pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

14.7

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

1SV239TPH3F

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 10V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.4

커패시턴스 비율 조건

C2/C10

전압-피크 역방향 (최대)

15V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

USC

제조업체

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시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.95pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.2

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

6V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

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제조업체

Sprague-Goodman

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 25V, 50MHz

커패시턴스 비율

-

커패시턴스 비율 조건

-

전압-피크 역방향 (최대)

25V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

500 @ 4V, 50MHz

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

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