J176 데이터 시트
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 250 Ohms 전력-최대 400mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 5V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 85 Ohms 전력-최대 400mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 7mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 125 Ohms 전력-최대 400mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 800mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 300 Ohms 전력-최대 400mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
