J177,126
참조 용
| 부품 번호 | J177,126 |
| PNEDA 부품 번호 | J177-126 |
| 설명 | JFET P-CH 30V 400MW TO92-3 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,212 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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J177 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | J177,126 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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J177 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 30V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5mA @ 15V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 800mV @ 10nA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8pF @ 10V (VGS) |
| 저항-RDS (켜짐) | 300 Ohms |
| 전력-최대 | 400mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 3 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 750mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 225mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1.7pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 125mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 3-CP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 40mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 12 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 50V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 300µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 6.5mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8.2pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 100mW 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 S-Mini |
