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MBR50040CTR 데이터 시트

MBR50040CTR 데이터 시트
총 페이지: 3
크기: 699.91 KB
GeneSiC Semiconductor
이 데이터 시트는 8 부품 번호를 다룹니다.: MBR50040CTR, MBR50040CT, MBR50035CTR, MBR50030CTR, MBR50020CTR, MBR50035CT, MBR50030CT, MBR50020CT
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MBR50040CTR 데이터 시트 페이지 2
MBR50040CTR 데이터 시트 페이지 3
MBR50040CTR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MBR50040CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MBR50035CTR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MBR50030CTR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MBR50020CTR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MBR50035CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MBR50030CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MBR50020CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower