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MBR50030CT

MBR50030CT

참조 용

부품 번호 MBR50030CT
PNEDA 부품 번호 MBR50030CT
설명 DIODE MODULE 30V 500A 2TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,418
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 31 - 2월 5 (신속 배송 선택)
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MBR50030CT 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR50030CT
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBR50030CT, MBR50030CT 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 699.91 KB)
PDFMBR50040CTR 데이터 시트 표지
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MBR50030CT 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 250A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 20V
작동 온도-접합-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Twin Tower
공급자 장치 패키지Twin Tower

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

940mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 300V

작동 온도-접합

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장착 유형

Through Hole

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

50A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 50A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

B48 Module

공급자 장치 패키지

-

VS-12CWQ04FNTRRHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 40V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

18A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 150V

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