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MJD117RLG 데이터 시트

MJD117RLG 데이터 시트
총 페이지: 10
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ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
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MJD117RLG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

MJD117-001

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

I-PAK

MJD117

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

MJD112RL

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

MJD117T4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

MJD112T4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

20W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

MJD112-001

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

I-PAK

MJD112TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

NJVMJD112G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

NJVMJD117T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

NJVMJD112T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

20W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

MJD112G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK