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MJD117

MJD117

참조 용

부품 번호 MJD117
PNEDA 부품 번호 MJD117
설명 TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,156
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJD117 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJD117
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJD117, MJD117 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 148.1 KB)
PDFMJD117RLG 데이터 시트 표지
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MJD117 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대)20µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
전력-최대1.75W
주파수-전환25MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30000 @ 20mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSA709YTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

JAN2N5157

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/371

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 700mA, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

전력-최대

5W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-204AA (TO-3)

BC327G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

260MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

350mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

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