MT44K32M36RB-093F:A 데이터 시트
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 1.28V ~ 1.42V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-TBGA 공급자 장치 패키지 168-BGA |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 8ns 전압-공급 1.28V ~ 1.42V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-TBGA 공급자 장치 패키지 168-BGA (13.5x13.5) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 1.28V ~ 1.42V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-TBGA 공급자 장치 패키지 168-BGA (13.5x13.5) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6.67ns 전압-공급 1.28V ~ 1.42V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-TBGA 공급자 장치 패키지 168-BGA |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 1.28V ~ 1.42V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-TBGA 공급자 장치 패키지 168-BGA |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 1.28V ~ 1.42V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-TBGA 공급자 장치 패키지 168-BGA (13.5x13.5) |
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