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MT44K32M36RB-083F:A

MT44K32M36RB-083F:A

참조 용

부품 번호 MT44K32M36RB-083F:A
PNEDA 부품 번호 MT44K32M36RB-083F-A
설명 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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재고 있음 3,006
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MT44K32M36RB-083F:A 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT44K32M36RB-083F:A
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT44K32M36RB-083F:A, MT44K32M36RB-083F:A 데이터 시트 (총 페이지: 121, 크기: 1,641.53 KB)
PDFMT44K32M36RB-093F:A 데이터 시트 표지
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MT44K32M36RB-083F:A 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간6.67ns
전압-공급1.28V ~ 1.42V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스168-TBGA
공급자 장치 패키지168-BGA

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메모리 유형

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FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

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메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-UBGA

공급자 장치 패키지

9-UBGA (6x6)

CY7C1514KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

CY62126ESL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

MT46V128M4P-75:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (128M x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

MT42L64M64D2KH-3 IT:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

4Gb (64M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

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