MT49H32M18SJ-18:B 데이터 시트
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 15ns 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 144-TFBGA 공급자 장치 패키지 144-FBGA (18.5x11) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 15ns 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 144-TFBGA 공급자 장치 패키지 144-FBGA (18.5x11) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 15ns 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 144-TFBGA 공급자 장치 패키지 144-FBGA (18.5x11) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 144-TFBGA 공급자 장치 패키지 144-FBGA (18.5x11) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 144-TFBGA 공급자 장치 패키지 144-FBGA (18.5x11) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 144-TFBGA 공급자 장치 패키지 144-FBGA (18.5x11) |
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