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MT49H16M36SJ-18:B TR

MT49H16M36SJ-18:B TR

참조 용

부품 번호 MT49H16M36SJ-18:B TR
PNEDA 부품 번호 MT49H16M36SJ-18-B-TR
설명 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT49H16M36SJ-18:B TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT49H16M36SJ-18:B TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT49H16M36SJ-18:B TR, MT49H16M36SJ-18:B TR 데이터 시트 (총 페이지: 82, 크기: 1,403.9 KB)
PDFMT49H32M18SJ-18:B 데이터 시트 표지
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MT49H16M36SJ-18:B TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간15ns
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스144-TFBGA
공급자 장치 패키지144-FBGA (18.5x11)

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-LQFP (14x20)

AT45DQ321-SHFHK-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (512 Bytes x 8192 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

제조업체

Macronix

시리즈

MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

300µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

24-TFBGA (6x8)

CY7C25682KV18-400BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II+

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

IS42S32800D-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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